삼성전자가 모바일 D램 양산에 세계 최초로 90나노공정을 적용했다.
이에 따라 삼성전자는 이미 모든 공정을 나노화한 낸드플래시와 DDR·DDR2·그래픽 D램에 이어 모바일 D램도 나노공정으로 대체함에 따라 모든 메모리 제품군에서 나노 시대를 열었다.
삼성전자(대표 윤종용)는 세계 처음으로 512Mb 모바일 D램 양산에 최근 90나노공정을 적용, 나노급 D램 기술에서 최고의 위치임을 다시 한 번 입증했다고 10일 밝혔다.
현재 D램 업계는 100나노에서 110나노 공정이 주류를 이루고 있으나 90나노를 적용할 경우 110나노 대비 40%의 생산성 향상을 가져올 수 있다고 회사 측은 설명했다.
삼성전자가 이번에 양산하는 90나노 512Mb 모바일 D램은 올해 1월 개발된 제품으로, 업계 최고 속도인 1.3GB/s와 최대 용량인 512Mb를 실현했다.
모바일 D램은 모바일 기기에서 메인 메모리 역할을 하는 반도체로서, 초소형·저전력을 장점으로 하는 모바일 기기에 최적화된 D램이다.
빠르게 보편화되고 있는 휴대폰의 고화질 3차원 그래픽과 500만 화소 이상 디지털카메라의 고화질 영상 구현을 위해서는 1GB/s 이상의 데이터 처리 속도와 512Mb 이상의 대용량이 필수적이다. 삼성전자는 이러한 시장 경향에 맞춰 512Mb 모바일 D램을 2개 적층한 1Gb 모바일 D램도 생산, 모바일 기기의 성능을 대폭 향상시킬 계획이다.
한편 삼성전자는 2003년 세계 최초로 90나노 공정을 낸드플래시 양산에 적용한 바 있으며, 지난 달에는 70나노 공정 D램 개발에도 성공, 초 미세 D램 공정기술을 선도하고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@
