삼성전자·하이닉스반도체·도시바 등 낸드플래시 메모리 3인방이 50나노급 공정에 이어 40나노급 공정서 정면 승부를 펼친다.
6일 업계에 따르면 삼성전자·하이닉스반도체·도시바 등 기업들은 D램 대비 비교적 가격 하락 폭이 큰 낸드플래시 메모리 시장에서 원가경쟁력을 높이고자 40나노급 제품을 확대하는 데 열중했다. 낸드플래시 메모리의 가격이 제조 원가 이하로 떨어지는 시황에서 수익을 개선하고, 선두 자리를 유지하려면 40∼50나노급 미세 공정 제품을 더욱 많이 출시해야 한다.
하이닉스반도체는 내년 1분기께 41나노 낸드 플래시 메모리를 청주 M11 라인에서 샘플 생산, 초기 양산 체계에 진입한다. 이 회사는 삼성전자·도시바 등 선두 주자를 제치고 가장 미세한 40나노급 제품을 첫 선보일 예정이다. 하이닉스는 낸드 플래시 생산 비중을 23%에서 연말 15%로 줄이는 대신에 48나노 등 40나노급 낸드 제품 비중을 3분기 말 30%에서 연말 60%로 두 배 가량 늘려, 내년의 가격 하락세에 적극 대응키로 했다.
삼성전자도 42나노 낸드 플래시 메모리 비중이 3분기께 미미한 수준에 그쳤으나 4분기에 10%로 끌어올리는 등 단계적으로 그 비중을 높일 계획이다. 42나노 낸드 플래시 메모리를 지난 5월부터 양산한 탓에 삼성 측은 “42나노 낸드 비중을 구체적으로 밝힐 수 없지만 수율 개선에 매진한다”고 말했다.
일본 도시바도 43나노 낸드 메모리 생산 비중 확대에 적극 나섰다. 이 회사는 12인치 웨이퍼에서 43나노 낸드 메모리 생산 비중을 지난 9월 50% 수준에서 단계적으로 늘려 회계 연도인 내년 3월엔 90% 까지 끌어올려 원가경쟁력을 확보하기로 했다.
한 관계자는 “D램과 낸드 가격 하락을 비교할 때 낸드 가격 하락이 더욱 커서 낸드 시장점유율이 높은 기업은 큰 손해를 볼 수밖에 없어 삼성전자·도시바 등 시장 1·2위 기업들이 더 고전할 것“이라며 “원가절감을 위한 선두 3대 업체 간 40나노급 공정 경쟁이 본격화한다”고 말했다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr
