30나노급 이하 차세대 메모리반도체 분야에서 경쟁국과 차별화해 주도권을 쥘 수 있는 차세대 메모리 상용화기술이 개발된다.
9일 업계에 따르면 한양대 차세대테라비트급비휘발성메모리사업단(단장 박재근 한양대 교수)은 삼성전자·하이닉스반도체와 공동으로 차세대 메모리로 주목받는 30나노급 이하 STT램(스핀주입 자화반전 메모리·Spin Transfer Torque Magnetic RAM) 공동 개발에 착수, 연내 메모리 단위 셀을 선보인다는 계획이다.
지난해 9월 지식경제부의 자금 지원(4년간 240억원)을 받아 STT램 개발주체로 선정된 차세대테라비트급비휘발성메모리사업단은 삼성전자·하이닉스반도체와 공동으로 연구에 필요한 조직 및 인력을 확보했으며 최근 주성엔지니어링·고려대·KIST 등과 개발 컨소시엄의 구성을 완료했다. 특히 10인치 웨이퍼 기반에서 STT램을 개발, 우리나라보다 1년 앞서 진행한 도시바 등 일본보다 먼저 상용기술을 개발하기로 했다.
일본은 8인치 웨이퍼에서 ‘STT램’ 개발을 시작, 이를 향후 대세인 10인치 웨이퍼로 전환하는 과정에서 병목현상이 발생한 상태인 것으로 알려졌다.
박재근 단장은 “올해 STT램 개발에 본격 착수, 연말께 메모리 단위 소자를 개발해 선보이고 내년 단위 셀 집적화에 들어간다”며 “비록 일본이 1년 앞서 STT램을 개발, 현재 공정 세트업 중이지만 우리 기업이 10인치 웨이퍼에서는 이를 따라잡을 수 있을 것”이라고 말했다.
‘STT램’은 기존 커패시터 대신 ‘자기접합터널(MTJ:Megnetic Tunnel Junction)’이란 자성 물질을 이용, ‘1’과 ‘0’ 신호를 기억하는 메모리로, 기존 메모리에 비해 매우 간단한 MTJ 구조만으로 쓰기와 읽기가 가능하기 때문에 30나노 이하에서 초집적이 가능해 테라비트급에 달하는 대용량 집적도를 구현할 수 있다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr
