저전력 · 초고속 트랜지스터 제조 기술 개발

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저전력 · 초고속 트랜지스터 제조 기술 개발

초박막 화합물을 이용해 고성능 나노 트랜지스터를 제조하는 기술이 개발됐다.

초박막 나노 트랜지스터는 초소형화가 가능해 컴퓨터 CPU, 디지털 전자회로 등 차세대 초고속 전자소자 제조의 핵심 기술로 자리 잡을 것으로 기대된다.

UNIST(울산과기대·총장 조무제)는 고현협 나노생명화학공학부 교수와 알리 자베이 미 버클리대 교수 연구팀이 공동으로 ‘실리콘 기판 위에 초박막 화합물 반도체를 전사시켜 고성능 나노 트랜지스터를 제조하는 기술’을 개발했다고 10일 밝혔다.

이 기술은 세계 권위의 과학저널 네이처 11월 11일자에 관련 논문으로 발표된다.

고현협 교수팀이 개발한 고성능 나노 트랜지스터는 지금까지 개발된 실리콘 트랜지스터보다 전자이동도가 3~5배가량 높다. 또 대기 상태에서는 전력을 차단하고 통전 시에는 높은 전류 밀도를 실현한다.

따라서 상용화될 경우 전자기기의 크기와 전력소모를 획기적으로 줄여 가볍고 얇으면서도 장시간 사용하는 전자제품을 만들 수 있다.

고 교수는 “기존 실리콘 반도체의 한계를 뛰어넘는 차세대 초고속·저전력 전자소자를 생산할 수 있는 길이 열렸다”며 “추가 설비투자 없이 기존 실리콘 반도체 생산 공정을 그대로 사용할 수 있어 대량생산에도 유리하다”고 말했다.

윤대원기자 yun1972@etnews.co.kr