성균관대 1나노미터급 실리콘반도체 대면적 제작 실험적 입증

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성균관대 1나노미터급 실리콘반도체 대면적 제작 실험적 입증

국내 연구진이 1나노미터(10억분의 1미터)보다 작은 반도체를 실리콘 기판 위에 대면적으로 제작하는 데 성공했다.

이번 연구로 1나노미터보다 작은 100억분의 1미터인 원자(옹스트롬) 단위에서도 실리콘 반도체를 기판 사이즈로 제작할 수 있다는 것을 증명하게 됐다.

교육부와 한국연구재단은 성균관대 안종렬 교수(교신저자)와 송인경 박사(제1저자)가 일반연구자지원사업의 지원을 받아 이 같은 연구결과를 내고, 국제학술지 나노 레터스(Nano Letters) 1월 15일자에 관련 논문을 게재했다고 9일 밝혔다.

연구팀은 실리콘 기판 위에 대면적으로 서로 다른 특성을 지닌(전자 도핑 정도가 다른) 1나노미터 이하의 금속선을 반복 배열했다. 또 반복 배열된 두 종류의 금속선 중에서 한 종류의 금속선만을 선택해 대면적으로 특성을 제어하는 데도 성공했다.

안종렬 교수는 “이번 실험적 증명이 현재 양산되고 있는 반도체에 직접 사용되는 실리콘 기판 위에서 수행됐다는 점에서 더 큰 의미가 있다”며 “대면적 실리콘 반도체 제작이 1나노미터를 넘어 그 이하 단계인 원자 수준에서도 실현될 수 있을 것”으로 기대했다.

대전=박희범기자 hbpark@etnews.com