DGIST·UNIST 연구진, 기가급 반도체보다 100만배 빠른 부도체 소자개념 제시

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이재동 DGIST 교수
이재동 DGIST 교수

기가급 반도체 속도보다 100만배 빠른 페타급(1000조) 부도체 원천기술 개념이 제시됐다.

DGIST는 이재동 신물질과학전공 교수와 윤원석 박사, 박노정 UNIST 교수가 공동으로 빛 파동을 이용한 극고속 페타헤르츠(부도체) 소자 개념을 최초로 고안했다고 4일 밝혔다.

극고속 페타헤르츠 다이오드 개요. LHM부도체와 LEM부도체의 이종접합으로 이뤄져 있다.
극고속 페타헤르츠 다이오드 개요. LHM부도체와 LEM부도체의 이종접합으로 이뤄져 있다.

부도체에 고강도 레이저 펄스를 가할 때 흐르는 전류는 빛 파동성 영향을 받아 기가급 반도체 대비 100만배 정도 빠른 극고속 클락을 나타낸다.

이 교수 연구팀은 P형 반도체와 N형 반도체를 결합한 소자와 비슷한 개념인 LHM(Low-Hole-Mass)부도체와 LEM(Low-Electron-Mass)부도체를 이종 접합하는 방법으로 새로운 전자소자를 개발할 수 있다는 가설을 세웠다.

반도체 소자 물리학과 페타헤르츠 소자 물리학의 개념적 비교표
반도체 소자 물리학과 페타헤르츠 소자 물리학의 개념적 비교표

이재동 교수는 “극고속 페타헤르츠 전자공학을 여는 양자역학적 원천 개념을 세계 최초로 학계에 제안한 것”이라며 “부도체 내 페타헤르츠 전류를 정보전달 및 신호처리에 활용하는 방안은 어느 누구도 연구한 적 없는 미지 영역”이라고 말했다.

이 교수는 또 “만약 연구가 꾸준히 이루어지면 컴퓨터, 휴대폰, 디스플레이 등 IT 기기 성능을 획기적으로 향상시킬 단초를 제공할 것”으로 기대했다.

연구 결과는 미국 물리학회에서 발행하는 국제 학술지 ‘피지컬 리뷰 레터스(Physical Review Letters)’ 3일자 온라인판에 게재됐다.

대구=정재훈기자 jhoon@etnews.com