삼성전자, EUV 공정 7나노 S램 개발성과 첫 공개… 업계 최초

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삼성전자가 극자외선(EUV) 노광 장비로 생산하게 될 7나노 시스템반도체용 S램 개발 성과물을 첫 공개한다. 내년 2월 11일부터 15일까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 국제반도체기술학회(ISSCC) 2018에서다. ISSCC는 반도체 설계 분야 올림픽으로 불리는 권위 높은 학회다. 1954년 처음 개최돼 내년 65회째를 맞이한다.

14일 ISSCC 극동지역 위원회는 기자회견을 갖고 내년 학회에서 공개될 핵심 논문 내용 일부를 밝혔다.

주목받는 논문은 삼성전자 7나노 S램 개발 성과물이다. S램은 중앙처리장치(CPU) 코어의 캐시 메모리로 활용된다. 올해 초 삼성전자는 ISSCC에서 EUV 공정으로 7나노 시스템온칩(SoC)용 S램 생산이 가능한가에 대한 논문을 공개한 바 있다. 내년에는 실제 개발 성과가 공개되는 것. 결과물 셀 면적은 0.026제곱마이크로미터(㎛2)로 10나노 핀펫 공정용으로 2016년 초 삼성이 학회에서 공개한 S램(0.040㎛2)과 비교하면 면적이 35% 감소했다. 지금까지 개발된 S램 가운데 가장 작은 면적이라는 것이 삼성전자의 설명이다.

차세대 규격 메모리 기술도 두루 소개된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 그래픽메모리인 GDDR6 16기가비트(Gb), 8Gb 기술을 소개했다.

삼성전자는 또 낸드플래시 시장의 판도를 바꿀 셀당 4비트 저장이 가능한 쿼드레벨셀(QLC) 64단 3D 낸드플래시 면면도 소개한다.

대만 파운드리 업체 TSMC는 40나노 공정 기반의 저항변화메모리(Re램)을 소개한다. 이 제품은 데이터 접근 속도가 기존 대비 58% 빨라진 것이 특징이다.

이외에도 이미지센서, 아날로그반도체, 데이터프로세싱 등 다양한 분야에서 총 202건의 기술 논문이 공개된다.

한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com