삼성전자는 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4 D램'을 개발했다고 21일 밝혔다.
삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월 만에 3세대 제품을 개발했다. 통상 10단위 나노 공정 안에서도 x, y, z로 나눠서 제품 세대를 세분화한다. x에서 z로 갈수록 공정이 더욱 세분화된다.
이 제품은 초고가 극자외선(EUV) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급 D램보다 생산성을 20% 이상 향상한 것이 특징이다. EUV 장비는 반도체 웨이퍼에 설계 회로를 새기는 노광 작업에 활용되는 기기다. 기존 불화아르곤(ArF) 방식 파장 길이보다 14분의 1 짧아 초미세 공정에 적합해 업계 주목을 받고 있지만 장비 가격이 비싸다. 삼성전자는 기존 ArF 공정으로도 3세대 10나노급 D램 개발에 성공해 공정 비용을 절감할 수 있게 됐다.
삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU(중앙처리장치) 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다. 올 하반기 3세대 10나노급 D램을 본격 양산하고 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격 공급하며 시장 주도권을 쥘 방침이다.
삼성전자는 또 글로벌 주요 고객과 차세대 시스템 개발 단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정이다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 “앞으로 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것”이라고 강조했다.
삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품 생산 비중을 지속 확대하고 있다. 2020년 차세대 프리미엄 D램 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축함으로써 초격차 경쟁력을 강화한다는 계획이다.
강해령기자 kang@etnews.com
