광반도체·파워디바이스 전문업체 광전자(AUK·대표 이석렬)가 산업용 고속 회복 다이오드(FRD)를 개발했다.
광전자는 애벌란시 에너지 성능(EAS)이 우수해 무정전 전원장치(UPS)를 비롯한 산업용 장치에 사용할 수 있는 1200V급 고전압 FRD를 개발, 고출력 산업용 부품으로 사업영역을 확장한다고 24일 밝혔다.
FRD는 고속으로 동작하는 스위칭 회로에서 스위치 손상을 막기 위한 환류 다이오드와 순방향 전압을 넘지 않도록 하는 클램프 다이오드와 같은 보호기능을 하는 소자다. 전력제어 반도체 소자인 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)나 파워 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 동작 속도가 빨라지면서 FRD에도 빠른 역방향 회복시간(TRR)과 높은 항복전압(BVR)이 요구된다. BVR은 역전압을 계속 올리면 어느 순간 갑자기 흐르는 큰 전압이다.
광전자가 개발한 FRD는 다이오드에서 갑자기 전류가 눈사태(애벌란시)처럼 올라가는 현상으로 소자가 폭발하는 것을 방지할 수 있도록 EAS를 높인 것이 특징이다. 정전용량을 기존 제품의 4분의 1 정도로 낮추고 칩 사이즈를 줄여 원가를 절감했다. 또 높은 수준의 정전기 레벨(ESD-HBM)을 보유해 정전기로 인한 스파크를 막을 수 있다.
이번에 개발한 제품은 UPS와 용접기 등 장치에서 가장 많이 사용하는 전류 정격 8A와 15A급으로 최근 고객사 평가를 진행하고 있다. 향후 고전류용 30A, 60A급 제품도 개발해 공급할 계획이다.
이석렬 대표는 “이번에 개발한 FRD를 시작으로 고출력 산업용 부품 시장에 진출할 계획”이라면서 “국내 시장뿐만 아니라 중국을 비롯한 해외 시장도 적극 개척할 것”이라고 말했다.
익산=김한식기자 hskim@etnews.com
