SK하이닉스, 우시 확장팹 'C2F' 준공…中 D램 생산능력 확대

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SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 주요 참석자들이 공장 준공을 알리는 버튼을 누르고 있다.(제공: SK하이닉스)
<SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 주요 참석자들이 공장 준공을 알리는 버튼을 누르고 있다.(제공: SK하이닉스)>

SK하이닉스가 중국 D램 메모리 공장을 확장했다.

SK하이닉스는 18일(현지시간) 중국 우시에서 확장팹 'C2F' 준공식을 개최했다고 밝혔다.

C2F는 기존 D램 생산라인인 C2를 연결, 확장한 것이다. 미세공정 전환에 따른 생산 공간 부족 문제를 해결하기 위해 2016년 라인 확장을 결정했고 지금까지 9500억원을 투자했다.

준공한 C2F는 건축면적이 5만8000㎡(1만7500평)이다. C2 공장과 규모가 비슷하다. 팹은 단층으로 이뤄졌다. SK하이닉스는 C2와 C2F에서 10나노미터(㎚) 후반대 D램과 20㎚ 초중반대 D램을 생산할 계획이다.

현재 C2F 일부에서 D램 생산을 시작했다. 그러나 공장에 설비를 모두 채우지는 않았다. SK하이닉스는 추가 클린룸 공사 및 장비입고는 시황에 따라 탄력 대응할 방침이다.

C2F 설비를 모두 완성하려면 약 9조원이 투입돼야 하는 것으로 알려졌다. 향후 완전 가동되면 중국 우시팹 D램 생산능력은 하이닉스 전체 D램 생산량 중 40~50%를 차지할 것으로 알려졌다. 현재는 30~40% 수준이다.

이석희 SK하이닉스 CEO가 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다.(제공: SK하이닉스)
<이석희 SK하이닉스 CEO가 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다.(제공: SK하이닉스)>

'새로운 도약, 새로운 미래(芯的飛躍 芯的未來)'를 주제로 열린 이날 준공식에는 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객과 협력사 대표 등 약 500명이 참석다.

강영수 SK하이닉스 우시팹(FAB)담당 전무는 “C2F 준공으로 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다”며 “C2F는 기존 C2 공장과 '원 팹(One FAB)'으로 운영해 우시 팹 생산과 운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.

윤건일 전자/부품 전문기자 benyun@etnews.com