UNIST, '3진법 반도체' 상용화 가능성 열었다

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울산과학기술원(UNIST) 연구진이 초절전·고성능·소형화 등 장점이 있는 '3진법 반도체'의 상용화 가능성을 확인하는 연구에 처음으로 성공했다.

UNIST는 김경록 전기전자컴퓨터공학부 교수팀이 '3진법 금속-산화막-반도체'를 대면적 웨이퍼에 구현했다고 17일 밝혔다.

그동안 반도체 업계는 인공지능(AI), 자율주행, 사물인터넷(IoT) 등에서 나오는 대규모 정보를 빠르게 처리하는 고성능 반도체를 만들고자 소자 크기를 줄여 집적도를 높여 왔다. 또 현재 2진법 기반 반도체에서 정보 처리 시간과 성능을 높일수록 소비전력이 늘어나는 문제도 고민해 왔다.

김 교수팀이 개발한 3진법 반도체는 0, 1, 2 값으로 정보를 처리한다. 처리해야 할 정보 양이 줄어 계산 속도가 빠르고, 그에 따라 소비전력도 적다. 반도체 칩 소형화에도 강점이 있다.

숫자 128을 표현하려면 2진법에서는 8개 비트가 필요하지만, 3진법으로는 5개 트리트(3진법 단위)만 있으면 저장할 수 있다.

현재 반도체 소자의 크기를 줄이고 집적도를 높여 급격히 증가하는 정보를 효과적으로 처리하려면, 소자의 소형화로 인해 누설전류가 커지고 덩달아 소비전력도 증가한다.

연구진은 반도체 소자에서 정보를 처리하는 상태를 구현하는 것에 누설전류를 활용하는 방법으로 이 문제를 해결했다. 누설전류의 양에 따라 정보를 3진법으로 처리하도록 고안한 것이다.

김 교수는 "이번 연구는 기존 2진법 반도체 소자 공정 기술을 활용해 초절전 3진법 반도체 소자와 집적회로 기술을 구현했을 뿐 아니라, 대면적으로 제작돼 3진법 반도체 상용화 가능성까지 보여줬다는 것에 의미가 있다"면서 "메모리와 시스템 반도체의 공정·소자·설계 전 분야에 걸쳐 미래 반도체 패러다임 변화를 선도할 것"이라고 밝혔다.

울산=임동식기자 dslim@etnews.com