세계 낸드플래시 ‘시장’에서 도시바를 따돌린 삼성전자가 ‘기술’에서도 종주기업 도시바를 뛰어넘었다. 삼성전자는 이 기술을 바탕으로 40나노 32기가 낸드플래시를 상용 개발, 2000년 발표한 메모리신성장론(황의 법칙)을 7년 연속 입증하는 쾌거도 올렸다.
황창규 삼성전자 반도체총괄사장은 11일 신라호텔에서 기자간담회를 갖고 “반도체 기술의 한계를 극복한 신개념 CTF(Charge Trap Flash) 낸드기술 개발과 상용화에 세계 최초로 성공했다”고 밝혔다.
이번 개발한 기술은 35년간 사용된 전통 낸드플래시 기술을 완벽하게 대체할 신개념의 나노 반도체 공정기술로, 이 기술 개발로 삼성전자는 적어도 2010년까지 ‘황의 법칙’을 이어갈 기반을 다지며 기가를 넘어 테라비트시대를 예약했다. 특히 CFT낸드기술은 지금까지 낸드플래시가 만들어 온 시장의 10배가 넘는 250조원 규모의 신규시장 창출을 가능케 하는 신개념 기술이어서 세계 반도체업계 이목이 집중되고 있다.
황 사장은 “이 기술은 지난 30년간 반도체업계가 이론을 상용화하기 위해 노력해 왔으나 실현하지 못한 것”이라며 “이번에 장비·재료·공정 등의 한계를 극복해 당장 상용화 가능한 수준의 샘플 개발에 성공할 수 있었다”고 강조했다.
신개념 CTF기술은 1971년 비휘발성 메모리가 첫 개발된 이래 35년간 상용화에 적용돼 온 ‘플로팅 게이트’ 기술의 한계를 극복한 혁신적인 기술로 나노 공정의 한계인 50나노 장벽을 허물고 40나노 이후의 차세대 나노공정 상용화 가능성을 제시한 데 큰 의미가 있다.
신기술을 적용해 개발한 40나노 반도체 기술은 머리카락 굵기 3000분의 1의 초미세 기술이며, 32기가 메모리 용량은 세계 인구 65억명의 5배에 해당하는 328억개의 메모리 기본 소자가 한 개의 오작동 없이 엄지 손톱만 한 크기에 집적돼 있음을 의미한다.
황 사장은 “CTF 기술에 대한 5년간의 연구 활동을 통해 155개의 원천특허와 개량특허를 확보하면서 업계 최초로 상용화에 성공함으로써, 삼성 독자 기술로 반도체 기술을 선도하고 경쟁사와 기술 격차도 더욱 벌릴 수 있게 됐다는 데 큰 의미가 있다”고 강조했다.
심규호기자@전자신문, khsim@