[아이세덱스2006]반도체기술대상-대통령상: 주성엔지니어링

　주성엔지니어링은 생산성 향상과 고품질 박막이라는 두 마리 토끼를 잡은 원자층증착(ALD) 장비와 공간분할 화학증착장차(SD CVD)를 개발, 대통령상을 수상했다.

최근 반도체 고집적화에 따라 소자의 트랜지스터와 캐패시터, 배선 형성을 위해 저온 상태에서 우수한 특성의 박막을 얻을 수 있는 새로운 장비의 필요성이 커지는 추세에 적절히 대응한 것으로 평가된다.

주성의 SD CVD는 웨이퍼를 한 장씩 처리하는 기존 매엽식 방식과는 달리 동시에 여러 장의 웨이퍼를 처리할 수 있는 세미 배치 방식이다. 회전하는 십자모양의 가스 주입기를 이용해 각 가스 주입기에서 소스 가스와 반응 가스, 공간분할 가스를 회전을 이용, 동시에 분사해 공정단계를 줄이고 밸브 동작 없이 원자층 증착 방식의 효과를 낸다. 한번에 10개의 웨이퍼를 동시 처리, 생산성을 높였으며 차세대 나노 반도체 공정에서 간단한 조작으로 화학기상증착 및 원자층 증착, 공간 분할 화학증착을 하나의 하드웨어로 구현 가능하다.