삼성전자는 현재 주력제품인 DDR3 D램에 비해 속도는 두 배 가까이 빠르면서 전력은 40% 줄일 수 있는 차세대 DDR4 D램을 지난달 세계 최초로 개발했다고 4일 밝혔다.
30나노급 DDR3 세계 최초 양산에 이어 DDR4 제품까지 개발 완료함으로써 삼성전자는 앞으로도 후발기업과의 격차를 계속 유지·확대해 나갈 수 있을 것으로 기대했다.
삼성전자는 30나노급 공정을 이용해 DDR4 D램을 개발한 데 이어 데스크톱용 2GB(기가바이트) UDIMM(Unbuffered Dual In-line Memory Module) 개발까지 완료했다.
이 회사가 개발한 DDR4 D램은 1.2V(볼트)에서 작동하며 데이터 전송속도는 2.1Gbps를 낸다.
DDR4 D램은 DDR3 D램과 동일한 데이터 읽기·쓰기 방식을 적용했지만, 효율적인 데이터 처리 구조를 적용해 작동속도를 2배 빠르게 구현했다. DDR4 D램을 PC에 탑재하면 같은 30나노급 1.5V, DDR3 D램에 비해 성능은 두 배로 높이면서도 소비전력은 약 40% 낮출 수 있다.
삼성전자는 DDR4 D램을 2012년 이후 20나노 최첨단 공정을 적용해 양산할 예정이다.
전동수 반도체사업부 사장은 “이번에 삼성전자가 개발한 DDR4 D램 기술로 서버 업체를 비롯한 고객들에게 ‘그린 메모리’ 제품에 대한 신뢰를 더욱 높일 수 있게 됐다”며 “삼성전자는 차세대 공정의 4Gb(기가비트) DDR4 D램을 앞서 생산해 대용량 D램 시장 성장을 선점해 나가겠다”고 밝혔다.
현재 전 세계 D램·CPU·서버 기업들은 DDR4 D램 표준 규격을 제정중이며 이르면 2012년부터 상용화돼 2015년께 주력 메모리로 부상할 것으로 전망된다. 속도는 2.1Gbps부터 최고 4.3Gbps까지 지원할 것으로 관측된다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr