파워큐브세미, 6인치 1200V SiC 반도체 생산 개시

파워큐브세미, 6인치 1200V SiC 반도체 생산 개시

파워큐브세미가 차세대 반도체 소재로 주목받는 실리콘카바이드(SiC)로 고전압 전력 반도체를 생산했다. 공정 효율화로 SiC 반도체 생산량과 속도를 높일 수 있어 전력 반도체 공급난 해소에 기여할 것으로 기대된다.

파워큐브세미는 산업통상자원부 소재부품산업 미래성장동력 사업 일환으로 6인치 1200V SiC 쇼트키 다이오드를 생산했다고 13일 밝혔다.

SiC는 실리콘 반도체 대비 강도는 10배, 열전도율은 3배 이상 높다. 고전압과 고열에 잘 견뎌 차세대 전력 반도체 소재로 각광받고 있다.

파워큐브세미가 개발한 SiC 쇼트키 다이오드는 6인치 웨이퍼를 통해 생산했다. SiC 반도체 웨이퍼는 실리콘보다 크기가 작다. 현재 SiC 반도체 웨이퍼 대세는 4인치다. 6인치 웨이퍼는 4인치 대비 얻을 수 있는 반도체 수가 평균 2배(1.5~2.5)가량 많다.

파워큐브세미 관계자는 “웨이퍼 직경이 증가하면서 더 많은 반도체를 생산할 수 있게 됐다”면서 “6인치 웨이퍼 공정을 통해 생산성을 향상시킬 수 있었다”고 밝혔다.

파워큐브세미는 공정 단계를 축소해 생산 속도도 높였다. 기존 SiC 쇼트키 다이오드는 생산 시 2회 이온 주입이 필요하다. 이번에 파워큐브세미가 개발한 SiC 쇼트키 다이오드는 한번의 이온 주입으로 제품을 생산할 수 있다. 회사가 6인치 SiC 쇼트키 다이오드 생산 공정을 최적화한 결과다. 수차례 SiC 반도체를 제작한 기술과 경험을 데이터화해 품질 관리에 나선 것이 주효했다.

제품은 부산파워반도체상용화센터를 통해 양산을 추진한다. 초기 국내 가전·차량용 전력 반도체 시장을 적극 공략할 계획이다. 향후 중국 등 해외 수요가 발생하면 생산능력을 확대할 방침이다.

파워큐브세미 관계자는 “고전압 등 SiC 쇼트키 다이오드 성능을 확보하면서 공정 프로세스는 축소해 가격 경쟁력 측면에서 유리할 것”이라고 밝혔다.

권동준기자 djkwon@etnews.com