알에프세미, '1700볼트 SiC 전력반도체' 양산 개시

알에프세미가 예스파워테크닉스와 공동으로 1700볼트(V)급 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 개발을 완료하고 양산을 시작했다고 4일 밝혔다.

1700V SiC 전력반도체는 예스파워테크닉스에서 제품 설계와 일부 공정을 진행하고 알에프세미에서 사업화했다.

현재 국내 많은 업체가 650V, 1200V급 SiC 제품을 개발 중이고 1700V급 제품은 해외 인피니온, 크리, 온세미 등에서 생산 중 이다.

전력반도체는 높은 전력이 필요한 전기제품이나 전기차, 수소전기차, 5G 통신망 등에서 전류 방향을 조절하고 전력 변환을 제어하는 필수 반도체다.

알에프세미 1700V SiC 전력반도체
<알에프세미 1700V SiC 전력반도체>

SiC와 질화갈륨(GaN)를 이용한 전력반도체는 기존 실리콘을 이용한 전력반도체보다 두 배 이상 큰 전압이나, 고온에서도 정상으로 작동한다.

1700V급 SiC 전력반도체는 안정성 확보를 원하는 전기차와 짧은 충전 시간을 위해 고전압 전류를 사용하는 충전장치에 효과적이다. SiC, GaN은 재질이 단단해 공정 처리가 어렵고 웨이퍼 가격이 실리콘보다 가격이 20배 이상 높다. 이진효 알에프세미 대표는 “2년간 공정 개발을 진행해 95% 이상 생산 수율을 확보, 본격적인 생산에 돌입했다”고 밝혔다.

박소라기자 srpark@etnews.com