엑스레이용 GaN 반도체 韓日 공동 개발 [숏잇슈]
질화갈륨(GaN) 반도체 사업을 추진하는 비투지와 일본 시즈오카 공대 연구진이 의료용 GaN 반도체를 최초 개발했다. 4분기에 시제품을 개발할 계획이다. 내년 1분기에는 센서를 구동하기 위한 모듈까지 제작할 예정이다. 엑스레이와 CT 등 의료용 장비 디텍터에 적용되는 GaN 반도체는 업계 최초 사례다.
디지털 엑스레이 CT는 반도체 기반 디텍터가 기존 필름을 대체하고 있다. 이 디텍터 반도체 소자는 고품질 컬러 이미지를 지원하지 못한다.
지멘스가 카드뮴 텔루라이드 소재로 광자계수법이 가능한 반도체를 개발, 자사 솔루션에 적용했지만, 카드뮴과 텔루라이드 소재가 중금속인 만큼 위험도가 높다. 의료용에서는 허용해주지만 산업용으로 활용하는데 제한되고 있다.
비투지와 시즈오카 공대는 이를 GaN 소재로 개발하는 기술을 확보했다. 기존 GaN 반도체가 대부분 실리콘 기판 위에 에피 성장을 하는 이종 결합 방식인데 비해 비투지 시즈오카가 개발한 GaN 반도체는 GaN 온 GaN 방식의 수직형 방식으로 높은 전압과 전류 밀도를 구현했다. 시장에서 카드뮴 텔루라이드만 가능했던 광자 계수법이 가능한 최초의 GaN 반도체가 될 전망이다.
※[숏잇슈]는 'Short IT issue'의 준말로 AI가 제작한 숏폼 형식의 뉴스입니다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com