DB하이텍이 온세미 출신 전력반도체 전문가를 영입한 것으로 확인됐다. 차세대 전력반도체 사업 전문성 강화 차원이다.
19일 업계에 따르면 DB하이텍은 알리 살리 전 온세미 기술개발 수석 디렉터(박사)를 영입해 질화갈륨(GaN) 공정 개발 총괄을 맡겼다.
살리 박사는 약 20년 업계 경력의 전력반도체 개발자로, 전기전자학회(IEEE) 등에 전력반도체 관련 유수 논문을 발표한 전문가다.
살리 박사 영입은 GaN 등 차세대 전력반도체 사업을 앞두고 기술 개발 및 사업화 강화 차원에서 이뤄졌다. 현재 DB하이텍 반도체 위탁생산(파운드리) 사업 상당 부분을 차지하는 전력반도체 사업을 실리콘(Si) 위주에서 GaN·실리콘카바이드(SiC) 소재로 확대를 추진하며 관련 기술 개발 경험이 있는 외부 전문가를 중용한 것이다.
DB하이텍 차세대 전력반도체 사업은 이상기 부사장이 총괄하고 있다. 이 부사장은 2021년 '반도체의 날' 행사에서 180나노(㎚)·130나노급 전력반도체 개발·사업화 등 공로로 산업포장을 수상한 전력반도체 연구개발(R&D) 전문가다.
살리 박사는 이 부사장과 함께 GaN 공정 기술 개발과 품질 강화를 주도하며 사업화를 준비한다. DB하이텍은 차세대 전력반도체 사업을 위한 공정 기술을 생산라인 구축 수준까지 확보한 것으로 알려졌다. GaN·SiC 생산 장비 발주를 검토하고 있는 단계로 생산라인 구축만 남은 상태다.
GaN과 SiC 전력반도체 생산라인은 경기도 부천공장 중심인 Si 전력반도체와 달리 충북 음성 DB하이텍 상우공장 내 구축이 유력하다.
DB하이텍은 에이프로세미콘과 SK실트론 미국 자회사 SK실트론CSS에서 GaN과 SiC 웨이퍼를 각각 공급 받을 계획이다. 시장 수요를 바탕으로 초기 생산 규모를 확정, 내년 중 생산라인 구축에 돌입할 예정이다. SiC 대비 상대적으로 기술 난이도가 낮은 GaN 전력반도체 생산을 먼저 시작할 것으로 전망된다.
업계 관계자는 “DB하이텍 등 DB그룹 내부에 수천억원의 자금 여력이 있는 만큼 생산라인 규모만 결정되면 제조 장비 발주 등 바로 생산능력(CAPA) 확보를 시작할 것”이라고 말했다.
박종진 기자 truth@etnews.com
