삼성, 24Gb D램 12개 적층 맞불
시장 선두 SK하이닉스와 3파전
생산력 확대 설비투자 경쟁 전망
차세대 고대역폭메모리인 'HBM3E'를 놓고 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 경쟁이 시작됐다. 지금까지 HBM 시장을 주도해온 SK하이닉스를 삼성과 마이크론이 추격할지 주목된다.
마이크론은 26일(미 현지시간) HBM3E 솔루션을 대량 생산한다고 밝혔다. HBM3E 양산을 발표한 건 전 세계 메모리 반도체 업계에서 마이크론이 처음이다. 마이크론은 8단으로 D램을 쌓아 24GB 용량을 구현했다고 설명했다. D램은 10나노급(1b) 제품을 적용했다고 덧붙였다. 특히 전력 효율이 경쟁사 대비 30% 우수하다는 점을 강점으로 내세웠다. 마이크론 HBM은 엔비디아가 2분기 출시 예정인 H200 텐서 코어 그래픽처리장치(GPU)에 탑재되는 것으로 알려졌다.
삼성전자도 같은날 업계 최대 용량을 구현한 HBM3E 개발을 공개했다. 삼성 HBM3E는 마이크론보다 적층수가 많은 12단이다. 삼성은 24기가비트(Gb) D램을 12번 쌓아 36기가바이트(GB)를 구현했다고 설명했다. 전작 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선됐으며, 삼성전자는 이 샘플을 고객사에 제공하고 상반기 양산에 돌입할 계획이라고 밝혔다.
SK하이닉스도 HBM3E 양산을 목전에 두고 있다. 최대 고객사 엔비디아 승인이 막바지 단계로, 이르면 다음달 생산될 전망이다. SK하이닉스 HBM3E는 10나노급(1b)을 기반으로 8단을 적층한 것으로 알려졌다.
HBM3E는 올해 인공지능(AI) 반도체 시장을 주도할 제품이다. 엔비디아가 상반기 신규 출시하는 H200 GPU와 결합, AI 서비스를 구현하는데 HBM3E가 활용된다. H200은 엔비디아의 주력 AI GPU인 H100을 대체할 제품이어서 올해 HBM3E의 폭발적인 성장이 기대된다.
SK하이닉스는 그동안 엔비디아와의 전략적 협력을 바탕으로 HBM 시장을 선도해왔다. 여기에 삼성전자와 마이크론잉 가세, 변화가 생길지 주목된다.
SK하이닉스는 올해 생산할 HBM 중 80%를 HBM3E로 채운다는 계획이다. 선단공정 제품으로 빠르게 전환해 경쟁사들의 추격을 따돌리겠다는 전략으로 풀이된다.
같은 HBM3E라도 누가 많은 양품을 생산하느냐(수율)에 따라 가격경쟁력이 달라지기 때문에 양산능력도 중요 변수가 될 전망이다.
반도체 업계 관계자는 “엔비디아 뿐 아니라 인텔, AMD 등 AI 반도체 시장에 출사표를 던지 기업이 늘면서 HBM 시장 수요는 더욱 확대될 것”이라며 “시장 확대에 따른 대표 메모리 3사의 치열한 수주전과 생산능력 확대를 위한 설비투자 경쟁이 예상된다”고 밝혔다.
시장조사업체 욜그룹에 따르면, 올해 HBM 시장 규모는 전년 대비 150% 성장한 141억달러(19조원)로 예상된다. 내년에는 199억달러(27조원)로 성장하고, 2029년에는 377억달러(50조원) 시장을 형성할 것으로 전망됐다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
