과학기술정보통신부는 배경훈 장관이 22일부터 23일(현지시간)까지, 미국 뉴욕을 방문해 한·미 간 산학연 양자기술 협력방안을 본격적으로 논의했다고 밝혔다.
배 장관은 23일(현지시간) 뉴욕 IBM 왓슨 연구소를 방문해 IBM과 양자과학기술 산업 육성을 위한 협력 양해각서(MOU)를 체결했다. 이번 MOU에는 한국연구재단, 국가과학기술연구회, 4대 과기원이 공동 참여했다.
주요 협력 내용은 △양자인프라 구축 및 서비스 제공 △연구개발 및 산업 활용 △전문인력 양성 및 역량 강화 등 3대 분야다. 이를 통해 양자컴퓨터 인프라 구축과 R&D 센터를 설립해 산업별 응용 가능성을 발굴하고, Qiskit 기반 양자 전문인력 양성을 추진할 예정이다.
배 장관은 같은날 미국 에너지부 브룩헤이븐 국립연구소(BNL)를 방문해 현재 논의 중인 기초 대형인프라(EIC) 협력 관련 시설을 시찰했다. 이를 기반으로 인공지능(AI), 양자 등 첨단기술 분야로 협력을 확장하는 방안을 논의했다. BNL은 7명의 노벨상 수상자를 배출했다.
배 장관은 “2025년은 양자과학기술 100주년으로 UN 총회에서 선포한 '양자과학의 해'로 지정됐다”며 “양자과학기술분야 최일선에 있는 미국과의 협력이 중요한 상황에서 이번 방미에서 IBM과 국내 산학연 간 인재, 기술, 인프라에서 상호보완적인 협력관계를 구축하는 성과를 냈다”고 밝혔다.
박지성 기자 jisung@etnews.com
