SK키파운드리가 최근 새로운 실리콘카바이드(SiC) 공정을 개발하고 신규 고객사 제품 개발을 수주했다고 11일 밝혔다.
SK키파운드리가 개발한 공정은 2차원 트랜지스터 구조(플레이너) MOSFET 공정이다. 450~2300V의 폭넓은 전압 대역을 지원하는 것이 특징이다. 특히 고전압 동작 환경에서 높은 신뢰성과 안정성 데이터를 확보, 우수한 성능을 입증했다.
SK키파운드리 측은 “공정 전반에 걸친 최적화와 핵심 공정 정밀 제어로 수율을 90% 이상으로 향상시키고 생산성을 높였다”며 “고객 요구에 맞춰 전기적 특성과 스펙을 세밀하게 조정할 수 있는 차별화된 '고객 맞춤형 공정 대응 서비스'를 제공한다”고 밝혔다.
SK키파운드리는 이번 공정 개발과 함께 SiC 전문 설계 고객사로부터 1200V급 고전압 반도체 제품 위탁생산 사업을 수주했다. 현재 제품 개발에 착수했으며, 시제품 평가와 신뢰성 검증을 거쳐 내년 상반기 양산에 돌입할 계획이다. 결과물은 고객사 산업용 가전에 적용, 열 효율 관리에 핵심 역할을 담당할 예정이다.
이번 공정 개발은 SK키파운드리가 SiC 전문기업 SK파워텍 인수 후 양사 핵심 역량을 결집해 거둔 첫 성과다. 기술 개발 완료 후 실제 고객 수주로 이어져 주목된다. 기술적 검증 단계를 넘어 즉시 상용화가 가능한 수준의 완성도와 경쟁력을 확보한 것으로 평가된다.
이동재 SK키파운드리 대표는 “이번 공정 플랫폼 개발은 SK키파운드리가 글로벌 화합물 반도체 시장에서 독자적인 기술 리더십을 확보했음을 보여주는 성과”라며 “차별화된 높은 수율과 신뢰성의 공정을 바탕으로 국내외 고객사 요구에 부응하는 고전압 전력반도체 솔루션을 지속 확대하겠다”고 밝혔다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
