SK하이닉스가 차세대 D램 생산 거점인 M15X에 극자외선(EUV) 장비를 우선 배치하기로 확정했다. M15X를 중심으로 고대역폭메모리(HBM)뿐 아니라 10나노급 5세대(1b) 기반 범용 D램 생산능력을 대폭 확대하는 방향으로 증설 전략을 구체화했다.
6일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 체결한 12조원 규모 ASML EUV 장비 반입 물량을 청주 M15X에 우선 투입한다. 일부 M16 유휴공간과 연구개발(R&D)용 물량을 제외하면, 실제 양산 확대를 위한 핵심 배치처는 M15X가 될 가능성이 크다.
M15X는 현재 1b D램 생산 거점으로, 웨이퍼 기준 월 2만장이 조금 안 되는 생산능력을 확보한 상태다. SK하이닉스는 이를 내년까지 4배 이상인 8만장 이상으로 확대한다는 방침을 세운 것으로 파악됐다. 이번 EUV 우선 배치는 이 같은 생산능력 확대 계획을 뒷받침하려는 조치로 풀이된다.
1b D램은 SK하이닉스의 10나노급 5세대 선단 공정으로, HBM을 포함한 서버·PC·모바일용 DDR5·LPDDR 계열 고성능 범용 D램에 적용되는 핵심 노드다. 최근 메모리 업황 개선과 함께 고부가 D램 수요가 확대되면서, SK하이닉스가 M15X를 중심으로 1b 생산능력 확대에 나선 것으로 해석된다.
송현종 SK하이닉스 사장은 2025년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “HBM과 같은 고성능 메모리뿐만 아니라 서버용 DRAM과 NAND 등 전반적인 메모리 수요 역시 지속 확대될 전망”이라고 밝힌 바 있다. HBM뿐만 아니라 서버용 DRAM을 포함한 범용 메모리 수요 확대까지 염두에 둔 발언으로, SK하이닉스의 1b 증산 전략과 맞닿아 있다.
SK하이닉스는 여기에 10나노급 6세대 D램(1c) 양산 확대도 병행하며 시장 수요 대응에 나설 계획이다. 현재 1b가 수익성이 높은 DDR5·LPDDR 계열 범용 D램과 일부 AI 메모리 수요에 대응하는 주력 카드라면, 1c는 향후 생산성과 전력 효율을 높일 차세대 후속 카드로 평가된다. 2027년까지 순차 도입되는 EUV 장비는 M15X 배치 이후 용인 클러스터에도 투입될 예정이다.
SK하이닉스는 지난달 24일 ASML로부터 총 11조9496억원 규모의 EUV 스캐너를 도입하기로 했다고 공시했다. EUV 장비는 10나노미터(㎚) 안팎의 초미세 회로를 구현하는 첨단 노광장비다. 전 세계에서 ASML만 생산한다. EUV 장비를 확보한 데 이어 이를 M15X에 우선 배치하기로 하면서, 용인 신공장 가동 전까지 이곳을 선단 D램 증산의 핵심 거점으로 삼겠다는 신호로 읽힌다.
박유민 기자 newmin@etnews.com
