하이닉스반도체와 미국 이노베이티브실리콘(ISI)가 차세대 메모리 기술로 공동 개발 중인 ‘Z램’ 상용화에 한걸음 더 다가섰다.
18일 외신 및 업계에 따르면 하이닉스와 ISI사는 절연체실리콘(SOI) 없이도 1V 미만의 전압에서 동작하는 기술을 개발하고, 최근 하이닉스의 54나노 테스트 공정에서 시연하는데 성공했다.
Z램은 전통적인 D램을 대체할 수 있는 차세대 메모리 기술 가운데 하나로, D램과 달리 커패시터가 필요 없다. 트랜지스터만으로만 메모리를 만들 수 있어 제품 크기와 생산 비용을 획기적으로 줄여주는 기술이다. 그러나 지금까지는 동작 전압이 높고 값비싼 SOI 웨이퍼 상에서 개발하는데 따른 비용 문제가 있었다.
양사는 ‘플로팅 바디’ 메모리 기술을 통해 SOI 없이 D램과 같은 벌크 웨이퍼 상에서 낮은 동작 전압으로 구동하는 기술을 처음 개발해냈다. 시연을 통해 1V 미만에서 전압 감쇄 없이 안정적인 성능을 구현했다고 양사는 밝혔다.
홍성주 하이닉스반도체 상무는 “54나노 테스트 칩 개발은 그동안 Z램 상용화의 가장 큰 난제를 해결한 성과”라며 “향후 전통적인 D램을 대체할 엄청난 잠재력을 입증한 결과”라고 설명했다.
하이닉스와 ISI는 지난 2007년부터 라이선스 협약을 통해 Z램 기술 공동 개발을 추진해왔으며, 이번 기술 개발 성과는 오는 6월 열리는 ‘VLSI 2010 심포지엄’에 연구 논문으로 제출한 상태다.
서한기자 hseo@etnews.co.kr