기존 웨이퍼의 단점인 표면결함및 편평도 문제를 해결한 새로운 웨이퍼가 이르면 연내에 선보일 전망이다.
미소이텍사는 최근 기존 사이먹스(Simo.)방식과 본디드(Bonded) 방식의 장점을 채택한 유니본드(Unibond) 웨이퍼 개발에 성공、 4.4분기부터 이 제품 의본격적인 공급을 시작할 계획이라고 밝혔다.
소이텍은 이 제품의 국내 공급을 위해 안드레 자콥사장을 비롯한 개발 관계자들이 이달말 우리나라를 방문、 반도체 3사 등 수요업체를 대상으로 기 술설명회를 가질 예정이라고 말했다.
유니본드 웨이퍼는 저전력.저전압、 고속의 초 고집적 메모리제품을 만드는데 적합한 고품질의 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼로 특히 양산성이 우수하다고 동사는 밝혔다. <김경묵 기자>