Vishay는 산업용 애플리케이션에서 더 높은 효율성과 전력 밀도를 제공하기 위해 PowerPAK® 10x12 패키지에서 동급 최저의 도통 저항을 제공하는 새로운 40 V TrenchFET® Gen V n채널 파워 MOSFET을 오늘 발표했다. 동일한 풋프린트의 경쟁 제품과 비교할 때, Vishay Siliconix SiJK140E는 도통 저항을 32 % 줄였으며, TO-263-7L의 40 V MOSFET보다 58 % 낮은 도통 저항을 제공한다.
10 V에서 도통 저항이 0.34 mΩ(typ.)로 낮춰 이번에 출시된 제품은 도통으로 인한 전력 손실을 최소화하여 효율성을 높이고, RthJC 0.21 °C/W(typ.)의 우수한 열저항 계수로 열성능을 개선한다. SiJK140E는 동일한 낮은 도통 저항을 달성하기 위해 두 개의 디바이스를 병렬로 사용하는 대신 하나의 디바이스를 사용할 수 있어 신뢰성과 고장 간 평균 시간(MTBF)을 향상시킨다.
MOSFET은 기생 인덕턴스를 최소화하면서 전류 용량을 최대화하는 본드 와이어리스(BWL) 설계가 특징이다. 본드 와이어(BW) 패키지의 TO-263-7L 솔루션이 200 A의 전류로 제한되는 반면, SiJK140E는 전력 밀도를 높이기 위해 최대 795 A의 연속 드레인 전류를 제공하며, 견고한 SOA 성능을 제공한다. 이 디바이스의 PowerPAK 10x12 패키지는 120 mm² 면적을 차지하며, TO-263-7L 대비 PCB 공간을 27 % 절약하고 부품의 높이를 50 % 줄인다.
SiJK140E는 동기 정류, 핫스왑 스위칭, OR-ing 기능에 이상적이다. 일반적인 애플리케이션에는 모터 구동 제어, 전동 공구, 용접 장비, 플라즈마 절단기, 배터리 관리 시스템, 로봇 공학 및 3D 프린터가 포함된다. 이러한 제품에서 쇼트 쓰루(shoot-through)를 방지하기 위해 2.4Vgs의 높은 문턱 전압을 제공한다. RoHS 준수 및 할로겐 프리, MOSFET은 100 % Rg 및 UIS 테스트를 거쳤다.
SiJK140E의 샘플 및 양산 수량은 현재 공급 중이며, 리드 타임은 36주다.
유은정 기자 judy6956@etnews.com