<삼성>
삼성그룹은 지난 84년부터 화합물반도체를 이용한 광소자 및 전자소자 개발을 시작했으며 일부 품목은 대량생산하고 있다.
광소자의 경우 삼성종합기술원에서 개발한 CDP용 파장 7백80nm의 VCSEL(Vertical Cavity Surface Emiitting Laser Diode)과 DVD용 파장 6백50nm의 적색 LD를 삼성전기에서 사업화해 양산하고 있으며 전자소자는 미국의 SMS에서 MESFET을 기반으로 하는 전력FET,TV튜너,PCS튜너 등을 생산중이다.
삼성은 정보통신사업이 차세대 유망사업으로 급부상함에 따라 통신용 광소자의 사업화를 서두르고 있으며 최근에는 고대역 주파수 신호처리에 필수적인 화합물 전자소자 개발에도 적극 나서고 있다. 통신용 광소자로는 인듐인 계열의 소자를 이용한 광송수신용 LD모듈을 개발완료,필드 테스트에 나서고 있으며 차세대 광모듈인 10G EML모듈 및 APD모듈도 개발중이다. 또한 이외에 WDM용 필터 및 파장 변환기 등 광부품 및 광스위칭 소자도 개발에 착수했다.
광기록용 LD로는 징크셀레나이드(ZnSe)소재에서 현재는 질화갈륨(GaN)소재로 바꿔 청색 LD 및 LED 개발에 주력하고 있으며 전자소자는 20GHz대역 이상의 개별소자와 MMIC 개발에도 착수,오는 2000년경부터 사업화한다는 방침이다.
LG그룹은 지난 93년부터 LG종합기술원내 화합물 반도체팀에서 화합물 반도체 개발을 추진,현재 사업화를 목전에 두고 있다.
LG종합기술원은 화합물 전자소자의 경우 현재 9백MHz대역의 GSM용 전력FET,1.7GHz대역의 PCS용 전력FET를 개발중이며 차량용 77GHz대역의 HEMT 단위소자는 LG정밀과 공동 개발중이다.
이 회사는 빠르면 올해 말,늦어도 내년 초에는 그룹내 전자부품회사 내에 화합물 전자소자용 생산라인을 설치,이들 제품을 생산한다는 계획이며 내년부터는 이 소자를 이용한 MMIC 와 HEMT를 이용한 저잡음 증폭기,주파수 변환기 등의 IC개발에도 나설 계획이다.
이와함께 지난해 말 국내에서 가장 먼저 개발한 질화갈륨(GaN)을 소재로 한 청색 LED 칩을 내년 초부터는 본격적인 양산에 들어간다는 방침아래 MOCVD 공급업체인 T사와 협력해 양산을 위한 장비 세팅작업을 진행중이다. LG는 옥외용 전광판에 사용될 수 있는 7백∼5백mcd급의 청색 LED 칩을 우선 생산할 계획이다.
LG측은 광기록용 LD시장이 향후 크게 두각됨에 따라 고출력이 요구되는 광기록용 LD개발에도 나서 CDR용 30∼60mW 광기록용 LD를 오는 11월부터 양산할 계획이며 통신용 LD는 LG전선과 함께 광송수신용 1.3㎛LD를 개발,현재 필드 테스트중이다.
<현대전자>
반도체와 정보통신 두 분야를 주축으로 전자사업을 전개하고 있는 현대전자는 이와 연계된 화합물 반도체 사업에 적극 참여하고 있다.
현대전자가 가장 먼저 추진하고 있는 것은 광통신용 화합물 반도체. 지난해 1백55Mb와 2.5Gbps급 광송수신 모듈 국산화에 성공한 현대전자는 올 상반기에는 송수신모듈을 한데 모은 1백55Mbps(STM1) 광트랜시버 모듈까지 개발했다. 현대전자는 최근 이들제품에 대한 필드테스트를 마쳤으며 하반기부터는 본격적인 판매에 들어간다는 계획아래 이천공장에 월 1천쌍의 광송수신 모듈과 1만개 이상의 레이저 다이오드(LD) 및 포토 다이오드(PD)를 생산할 수 있는 라인을 설치키로 하고 현재 생산라인 구축에 들어갔다.
화합물 전자소자와 관련해서는 현재 인듐인(InP),인듐갈륨비소(InGaAs)소재의 HBT를 샘플 제작해 10Gbps급 이상의 pin/HBT 모노리딕 광전 광수신기를 개발중이며 향후 pin/HBT 리시버,LD드라이버,와부 모듈레이터 드라이버,먹스 등 초고속 광통신용 광모듈 뿐만 아니라 10GHz 이상의 VCO,믹서,증폭기 등 이동,위성 통신용 MMIC개발도 진행할 계획이다. 이와함께 질화갈륨(GaN)소재의 청색 LED 및 LD도 개발중에 있으며 소자와 함께 이를 이용한 부품사업까지 사업을 확대해 나갈 방침이다.
<광전자반도체>
광전자반도체(대표 조장연)는 광전자그룹 계열사로 지난 88년에 설립돼 LED 관련 에피웨이퍼와 칩을 생산해 왔다. 현재 갈륨비소(GaAs),갈륨비소인(GaAsP)소재의 범용 LED웨이퍼와 적외선 웨이퍼,그리고 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)소재의 고휘도 LED칩을 주력 생산중이다. 또한 향후 청색 LED,MMIC 등 고부가가치 제품으로 사업을 고도화하고 광마이크로 엔코더,광 송수신 모듈,광소자 응용 반도체 검사장치 등의 신규 사업에 참여하는 등 종합 화합물 반도체회사로 탈바꿈할 계획이다.
이 회사는 화합물 광소자와 관련,현재 한국표준연구원과 공동으로 청색 LED칩에 관한 공업기반기술 개발과제를 수행중이며 9월말까지 질화갈륨(GaN)소재의 1cd급 청색 LED칩 시제품을 선보이고 내년 중반경부터 본격적인 상용제품을 출시한다는 전략이다.
또한 화합물 전자소자인 MMIC 개발을 위해 외국업체로부터 기술도입을 추진중이며 기술도입 계약이 체결되는 데로 라인설비 구축작업에 들어가 내년부터 각종 MMIC 상용제품을 출시한다는 계획도 갖고 있다. 광전자반도체는 관련기술 확보를 위해 올해 말까지 미국에 현지법인 및 R&D센터를 설립키로 했으며 매출도 올해 1백29억원 정도에서 오는 2000년에는 3백% 증가된 4백66억원을 달성할 방침이다.
<한국엘피이>
한국엘피이(대표 김영상)는 삼성전자 화합물 반도체 개발팀에서 근무했던 사람들이 세운 화합물 반도체 회사로 지난 92년부터 국내에서 유일하게 적외선LED 및 LED관련 에피 웨이퍼만을 전문으로 국내외에 공급해왔다.
범용 제품을 주로 생산해왔던 이 회사는 올해부터 1cd 이상의 밝기를 표출할 수 있는 고휘도 적색 LED 에피웨이퍼 개발에도 성공,고부가가치 제품으로 제품군을 이양중이다.
한국엘피이는 향후 LPE공법이 아닌 MOCVD공법을 이용한 고휘도 적색,녹색,청색 LED관련 웨이퍼를 오는 99년까지 단계적으로 개발,기존 적외선 중심에서 가시광용 에피웨이퍼로 사업의 무게중심을 옮겨갈 방침이다. 또한 내수시장만으로는 성장에 한계가 있다고 판단하고 2년전부터 해외시장을 개척,올 상반기에 신일본무선주식회사와 일반 적외선용 에피웨이퍼 수출계약을 체결한데 이어 모토롤러,산켄,샤프 등의 품질인증을 획득해 수출문을 열어놓았다. 특히 한국엘피이가 개발한 에피웨이퍼는 기존제품인 1.5인치보다 2배 큰 3인치 제품으로 생산성을 1.7배정도 높일 수 있는 것으로 알려져 시장 경쟁력도 갖춘 것으로 평가받고 있다.
향후 이 회사는 에피 웨이퍼 생산기술을 기본으로 한 광센서 및 광소자 등 응용제품까지 개발,판매하는 사업 다각화 영업전략을 수립,올해 44억원에서 오는 2000년에는 2백50억원의 매출을 달성할 계획이다.
<씨티아이반도체>
씨티아이반도체(CTIS)는 무선정보 통신용 하이테크 부품과 기기를 생산,공급하는 씨티아이와 미국의 5대 방위산업체인 레이시온이 지난 94년 합작,설립한 벤처기업으로 갈륨비소 화합물 반도체 조립회사이다.
씨티아이반도체(대표 김훈)는 레이시온과 공동으로 휴대전화 및 위성방송수신기용 갈륨비소 MMIC를 개발,95년 시험가동을 거쳐 96년부터 본격양산체제에 돌입해 지난해에 1백68억원의 매출액과 1억2천여만원의 당기순이익을 기록했으며 올해 상반기에는 3백96억원의 매출과 20억원의 순이익을 올렸다.
이 회사는 MMIC 원천기술을 갖고 있는 레이시온과의 합작으로 가장 중요한 화합물 반도체 웨이퍼 공정기술과 디자인기술을 확보하고 있으며 자체적으로도 「플라스틱 에어 캐비티 패키지」라는 조립기술을 개발해 가격경쟁력의 원천인 대량생산 기술을 확보했다. 이 패키징 기술은 기존 세라믹 패키지를 플라스틱으로 대체하는 것으로 패키징 비용을 10분의 1이하로 줄임과 동시에 패키지 사이에 공간을 두어 칩의 성능저하를 최소화하는 기술이다.
씨티아이반도체는 앞으로 PCS,무선데이터 통신,WLL,GMPCS,FPLMTS 등 차세대 통신기기 부품으로 사업 영역을 확장시켜 MMIC 뿐만 아니라 이를 응용한 부품사업에까지 뛰어든다는 방침이다.
<국제상사>
국제상사는 지난 87년 자체내에 전자사업본부를 발족하고 화합물 반도체 사업에 참여,지난 90년 당시 세계 최대 규모의 화합물 전자소자공장을 설립,국내에서는 유일하게 MESFET,HEMT,HBT 등 화합물 전자소자를 생산중이다.
지난 91년 1.0㎛ 게이트 간격의 MESFET을 개발,양산하기 시작한 이후 현재 0.25㎛ 게이트 간격의 MESFET과 HBT,HEMT 등을 개발,양산해 국내외에 공급하고 있다.
특히 이 회사는 지난해 개발한 위성통신 수신기용 저잡음 주파수 변환기(LNB)에 적용되는 12GHz대역에서 잡음지수 0.42,증폭지수 12.4를 보장하는 P-HEMT를 올해부터 양산하기 시작해 연간 1백만달러 이상의 수입대체 효과를 거둘 수 있을 것으로 기대하고 있다.
또한 전자소자를 응용한 MMIC 개발에도 나서 HBT를 이용한 MMIC의 경우 미국 ADX마이크로시스템과 기술제휴를 통해, MESFET를 이용한 MMIC는 독자개발 형태로 각각 개발중인 것으로 알려졌다. 이와함께 무선통신 시스템 사업에도 뛰어들어 광대역 CDMA무선 LAN개발과 단위셀용 개인 휴대통신 송수신기 개발에도 나서고 있으며 이같은 사업영역확대에 힘입어 전자사업부문 총매출도 올해 5백억원대에서 오는 2000년에는 3천억원 수준으로 크게 늘어날 것으로 기대하고 있다.