99년 ISSCC 개요 발표.. "고속 LSI기술 내년 대거 발표"

 내년도 IEEE ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)는 고속 LSI 관련 기술이 주를 이룰 전망이다.

 일본 「닛케이 마이크로디바이스」에 따르면 ISSCC 집행위원회는 최근 내년 2월 14∼18일 5일간 미국에서 개최되는 ISSCC 99의 개요를 발표했다.

 이에 따르면 내년도 이 회의의 주제는 「고대역폭 시스템(High-Bandwidth System)」으로 여기에 맞춘 고속 LSI 관련 기술 발표가 잇따를 전망이다.

 채택논문 수는 총 1백73건으로 지역별로는 북미가 87건, 아시아가 52건, 유럽이 34건이다.

 논문 테마를 지역별로 분석해 보면 여전히 디지털회로 및 아날로그회로는 북미, 메모리는 아시아가 강세를 보여 기존 구조에 큰 변화가 없을 전망이다. 그러나 북미지역이 주도했던 가전용 멀티미디어 프로세서 및 이동통신용 아날로그 LSI에 대한 발표가 아시아 지역에서 크게 늘어날 것으로 보인다.

 마이크로프로세서와 관련해서는 미국 휴렛패커드(HP)가 1억4천만개의 트랜지스터를 집적한 64비트, 5백㎒ RISC프로세서를 발표할 예정이다. 인텔은 6백㎒의 3차원 그래픽 명령을 채용한 X86계 프로세서, 한국 삼성전자와 미국 IBM은 각각 SOI(Silicon On Insulator)를 채용한 마이크로프로세서를 선보인다.

 멀티미디어용 프로세서 분야에서는 소니 컴퓨터 엔터테인먼트와 도시바가 공동으로 2백50㎒ 동작의 14개 부동소수점 연산기 내장 마이크로프로세서를 발표한다.

 아날로그 LSI 분야에서는 마쓰시타전자공업이 WCDMA 기지국용으로 다이렉트 컨버전 방식의 갈륨비소 IC를 선보인다.

 D램 분야에서는 각종 고속 D램이 제시될 것으로 보이는데 삼성전자가 더블 데이터 레이트(DDR)방식의 싱크로너스 D램, 도시바가 다이렉트 램버스 D램을 각각 발표할 예정이다.

<심규호 기자>