★4M비트 강유전체 메모리소자-삼성전자 반도체 김기남
강유전체 메모리(F램)는 설계가 용이하고 대용량 저장기능의 D램, 고속작동의 S램, 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점만을 한개의 칩에 집적화한 것으로 차세대 메모리반도체를 통합시킬 밀레니엄형 메모리반도체 소자로 주목받고 있다.
삼성전자는 F램 반도체 개발의 가장 큰 걸림돌이었던 대용량화 기술을 조기에 확보, 업계 최초로 메가시대를 여는 4MF램 제품을 개발했다.
이번에 개발된 제품은 기존 256k제품의 16배 용량으로 3.3V 작동전압과 저소비전력, 75㎱(나노초, 1㎱＝10●●second)의 고속작동 제품으로 앞으로 휴대형 전화기 등 휴대형 멀티미디어 제품에 적극 채용될 것으로 전망된다.
특히 시스템온칩의 핵심기술인 초고집적화를 위해 데이터를 저장하는 최소단위
인 셀(cell)을 트랜지스터 1개와 커패시터 1개로 구성하는 1T/1C구조와 고난도의 COB(Capacitor Over Bitline)기술을 적용, 제품의 크기를 기존의 2분의 1 이하로 축소한 초소형 제품으로 구미 및 일본업체들에 비해 2년 이상 앞선 제품으로 평가됐다.
F램 제품은 메모리 반도체 중 가장 뛰어난 성능의 제품임에도 불구하고 기술적 문제로 게임기 등 일부 제품에만 적용됐으나 앞으로 휴대전화와 PDA, 스마트폰, 스마트카드 등으로 확대될 전망이다.
F램은 D램과 S램, 플래시 메모리의 장점을 통합한 것으로 휴대성을 강조한 멀티제품의 수요증가에 힘입어 2005년 이후 연간 150억달러 이상의 시장을 형성할 것으로 전망된다.