비메모리 반도체 분야에 0.13미크론(=머리카락의 800분의 1 크기) 시대가 열린다.
인텔·TSMC에 이어 삼성전자·AMD가 내년부터 0.13미크론 공정 양산체제를 도입하기로 잇따라 밝혀 이 공정이 비메모리 반도체의 주력 공정으로 급부상할 전망이다.
이에 따라 현재의 0.18미크론 공정보다 2∼3배의 생산성 향상은 물론 초고속·초소형·저전력 소모의 차세대 비메모리 반도체 개발이 한층 빨라질 것으로 예상된다.
삼성전자는 12일 메모리 기술과 시스템LSI(비메모리) 기술을 한 개의 칩에 집적한 차세대 시스템온칩(SoC)용 0.13미크론 초미세 공정기술을 개발하고 내년부터 양산에 적용하기로 했다고 발표했다.
삼성전자는 이를 전력소모량과 크기를 줄여야 하는 이동통신기기 및 디지털 미디어기기에 우선 적용해 PDA·네트워크·CPU 탑재 복합칩 등 총 20여종의 SoC를 내놓을 예정이다.
AMD는 독일 드레스덴 팹30에 구리공정과 실리콘온인슐레이터(SOI) 기술을 적용한 0.13미크론 공정을 개발하고 본격적인 램프업에 들어갔다고 12일 밝혔다.
AMD는 이를 통해 64비트 CPU인 클로 해머 및 슬러지 해머를 생산하고 내년 하반기까지는 전체 공정의 100%를 0.13미크론으로 전환한다는 계획이다.
대만 파운드리 전문업체 TSMC는 통신칩 파운드리 서비스를 위해 최근 저전력 0.13미크론 공정을 개발하고 램프업에 들어갔다.
TSMC는 이달말까지 0.13미크론 공정을 적용한 웨이퍼 생산량을 월 9000장으로 늘리고 내년초에는 구리 공정과 저전력 공정을 통합한 0.13미크론 공정의 대량 생산체제를 갖출 예정이다.
이밖에도 지난 5월부터 0.13미크론 공정을 적용해 노트북PC용 ‘펜티엄Ⅲ 모바일M’ 프로세서를 양산중인 인텔은 내년초 출시할 ‘펜티엄4’용 새 아키텍처 ‘노스우드’에 0.13미크론 공정을 도입, ‘펜티엄4’ 전체 생산물량을 모두 이로 전환한다는 계획이다.
인텔은 이를 통해 발열문제 해결과 클록주파수를 대폭 높인다는 계획이며 현재 0.13미크론 공정을 적용중인 팹 F20·D2·F22 이외에 300㎜ 팹인 D1C·F11X 등으로 확대, 내년에는 총 6개의 팹에 0.13미크론 공정을 적용할 방침이다.
업계 전문가들은 “0.13미크론 공정이 비메모리 분야에 도입돼 속도와 크기 그리고 전력 소모 분야에서 획기적인 성능 향상을 보이게 된다”면서 “CPU와 통신칩을 중심으로 내년에는 0.13미크론 공정이 주력으로 자리잡게 될 것”이라고 말했다.
<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>