소니와 도시바가 차세대 시스템LSI에 45㎚ 공정과 설계를 실현할 수 있는 반도체 기술을 공동 개발했다고 22일 니혼게이자이 신문이 보도했다.
소니와 도시바는 지난 2001년 5월부터 첨단 IC 프로세서 기술을 공동개발해 65㎚ 공정 기술을 현실화시켰으며 이 노하우를 기반으로 작년 2월부터 45㎚ 관련 미세 공정 공동 개발 프로젝트에 착수했다.
개발된 기술은 실리콘 크리스털을 구부려 트랜지스터 장비 내에서 전류의 흐름을 보다 원활하게 하는 것으로 45㎚ 대규모 집적회로(LSI)칩에 사용됐을 때 전류 흐름을 약 40% 가량 빠르게 할 수 있다.
소니와 도시바는 이 기술을 오는 2007년부터 상용화할 계획이다.
명승욱기자@전자신문, swmay@