피에스케이는 반도체 소자 제조방법에 관한 특허를 취득했다고 5일 공시했다.
해당 특허는 반도체 소자 제조공정 중 자연산화막을 효과적으로 제거하고, 재성장을 방지할 수 있다.
전자신문인터넷 조정형기자 jenie@etnews.co.kr
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피에스케이는 반도체 소자 제조방법에 관한 특허를 취득했다고 5일 공시했다.
해당 특허는 반도체 소자 제조공정 중 자연산화막을 효과적으로 제거하고, 재성장을 방지할 수 있다.
전자신문인터넷 조정형기자 jenie@etnews.co.kr