반도체 소부장 디엔에프, 메모리 반도체 관련 특허취득 발행일 : 2008-02-12 13:47 전자신문을 선호 매체로 추가 공유하기 페이스북 X(트위터) 메일 URL 복사 글자크기 설정 가 작게 가 보통 가 크게 디엔에프는 고집적 반도체 소자 제조를 위한 고유전 물질의 지르코늄 산화물 박막을 제조할 수 있는 방법에 대해 특허를 취득했다고 12일 공시했다. 디엔에프는 해당기술을 메모리 반도체 DRAM의 케패시터 및 게이트 절연막의 고유전 물질로 사용할 계획이다. 전자신문인터넷 조정형기자 jenie@etnews.co.kr
