테스는 탄화규소(SiC) 에피택셜 웨이퍼 제조에 필요한 고온화학기상증착(HTCVD) 장비 '트리온(TRION)'을 출시한다고 11일 밝혔다.
SiC 에피택셜 웨이퍼는 SiC 전력반도체를 만드는 핵심 소재다. SiC 또는 규소(Si) 웨이퍼 위에 SiC 박막 결정을 성장시켜 만든다.
에피택셜 웨이퍼 제조장비는 독일 엑시트론, 이탈리아 LPE 등 해외 업체들이 주도하는 시장이다. 테스는 앞서 상용화한 심자외선(UV) LED용 고온 MOCVD 장비 핵심기술을 기반으로 개발에 성공했다.
핵심 기술은 1650℃에 이르는 고온에서도 8인치 웨이퍼 내 온도 편차를 5℃ 이하로 가능하게 하는 '트리온 스페셜 RF 히터'와 공정 가스 분사 시 두께와 도핑의 균일도를 미세 조절하는 'TTPN(Tunable Triple Pair Nozzle)' 기술이다.
테스는 경쟁사 대비 에피 성장 성능을 결정하는 온도 균일도 향상은 물론, 고객 유지보수 편의성과 생산성을 개선했다고 강조했다. 또 공정에 필요한 가스 양·속도·방향을 미세 조정, 최상의 8인치 두께와 도핑 균일도를 확보했다고 덧붙였다.
테스 관계자는 “작년 하반기 장비 개발을 완료한 데 이어 잠재 고객사가 요구하는 성능까지 최종 확보했다”며 “국내외 다양한 고객사와 양산 공급에 대해 협의하고 있다”고 말했다.
한편, 테스는 오는 14일 부산에서 열리는 '국제탄화규소학술대회(ICSCRM) 2025'에서 트리온을 소개할 예정이다.
박진형 기자 jin@etnews.com
