국내 딥테크 기업 넥스첨단소재가 개발한 DIB 기술이 차세대 고주파·고속 통신용 저유전율 FCCL 시장에서 주목받고 있다.
AI와 6G 시대를 앞두고 고주파·고속 전송 환경에 최적화된 소재 경쟁이 본격화되고 있다. AI 데이터센터, 자율주행차, ADAS, 위성통신, 차세대 이동통신, 우주항공 산업이 빠르게 성장하면서 신호 손실을 최소화할 수 있는 저유전율 FCCL이 핵심 소재로 부상하고 있다.
저유전율 FCCL은 단순히 필름 소재만으로 구현하기 어려운 고난도 분야다. PTFE, LCP, PPS 등 저유전율 소재는 우수한 전기적 특성을 갖추고 있지만 금속과의 접착력이 낮아 직접 증착 방식의 FCCL 상용화에 한계가 있다. 필름의 저유전 특성을 유지하면서 금속층과 높은 결합력을 확보하는 기술은 대기업을 포함한 업계 전반의 주요 과제로 꼽혀왔다.
이러한 가운데 넥스첨단소재가 개발한 DIB는 특허 출원 기반의 증착·표면처리 공정기술로, 초고에너지 방향성 이온빔을 활용해 필름 표면을 원자 단위로 정밀하게 제어하는 차세대 계면 설계 플랫폼이다. 기존 화학 처리 방식과 달리 저유전 특성을 유지하면서도 금속과의 결합력을 크게 향상시킬 수 있는 것이 특징이다.
특히 DIB를 적용한 FCCL은 기존 접착제 기반 제품과 차별화된 직접증착형 구조를 구현한다. 일반적인 FCCL이 필름과 동박 사이에 유기물 접착제를 사용하는 반면, 넥스첨단소재의 기술은 필름 표면을 정밀하게 제어한 뒤 금속층을 직접 형성한다. 이를 통해 제품 두께를 더욱 얇게 설계할 수 있으며, 고주파 환경에서 신호 손실 요인으로 작용하는 접착층의 영향을 최소화해 우수한 전송 특성을 확보할 수 있다.
업계에서는 이러한 직접증착형 FCCL이 AI 서버와 데이터센터, ADAS 레이더, 5G·6G 통신장비 등 차세대 고속 통신 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 전망하고 있다.
넥스첨단소재는 DIB 공정을 R2R 연속 생산 체계에 적용하는 데도 성공했다. 현재 R2R DIB 1호기를 운영하며 매출을 확대하고 있으며, 증가하는 수요에 대응하기 위해 2호기 증설도 추진 중이다.
기술 경쟁력은 투자 시장에서도 인정받고 있다. 넥스첨단소재는 최근 중소벤처기업부의 딥테크 TIPS 프로그램에 선정된 데 이어 전략적 투자자(SI)로부터 투자 유치에도 성공하며 기술성과 사업성을 동시에 검증받았다.
회사는 이를 기반으로 차세대 통신용 FCCL을 넘어 원거리 통신 드론, ADAS, 차량용 레이더, AI 서버 및 데이터센터용 고주파 회로기판 분야까지 사업 영역을 확장하고 있다. AI 산업의 성장에 따라 저유전율 FCCL 수요 역시 빠르게 증가할 것으로 예상되는 가운데 넥스첨단소재는 독자적인 DIB 기술과 R2R 생산 플랫폼을 바탕으로 글로벌 시장 공략을 본격화할 계획이다.
넥스첨단소재 관계자는 “DIB는 단순한 표면처리 공정을 넘어 저유전율 필름과 금속 간 계면을 정밀하게 설계하는 생산 플랫폼 기술”이라며 “핵심 소재 기술과 생산 공정을 동시에 확보한만큼 글로벌 저유전율 FCCL 시장을 선도하는 기업으로 성장해 나가겠다”고 전했다.
이원지 기자 news21g@etnews.com
