[창간특집] SK하이닉스, R&D로 초일류 경쟁력 이어나간다

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[창간특집] SK하이닉스, R&D로 초일류 경쟁력 이어나간다
SK하이닉스 이천캠퍼스 전경.<사진=SK하이닉스>
<SK하이닉스 이천캠퍼스 전경.<사진=SK하이닉스>>

SK하이닉스는 세계 굴지의 메모리 반도체 제조업체다. 회사는 기술혁신으로 선두 업체로서의 위상을 지켜나가기 위해 매년 대규모 연구개발(R&D) 투자를 이어가고 있다. 이미 이탈리아, 미국, 대만, 벨라루스 등 글로벌 주요 거점에 4개의 R&D센터를 운영 중이다.

R&D 투자액도 갈수록 높아지고 있다. SK하이닉스는 2013년 이후 연구개발비에만 꾸준히 1조원 이상을 투입했다. 2016년에는 사상 처음으로 2조원을 넘겼다. 매출액 대비 12.2%에 달하는 금액이다.

2019년에는 연 기준 역대 최고 금액인 3조1890억원을 연구개발비로 투자하며 고품질 고사양 메모리반도체 개발을 지속하고 있다.

SK하이닉스는 주력인 D램 제품 경쟁력을 키우기 위해 공들이고 있다. 특히 64기가바이트(GB) 이상 대용량 서버 모듈, 10나노급 2세대(1y) 모바일 D램 판매 확대로 수익성을 개선할 예정이다.

SK하이닉스 DDR5 D램. <사진=SK하이닉스>
<SK하이닉스 DDR5 D램. <사진=SK하이닉스>>

또 2018년 11월에 1y D램을 개발했던 SK하이닉스는 11개월 만인 작년 10월 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit DDR4 D램도 개발했다. 메모리 총 용량은 현존하는 D램 중 가장 크다. 1y 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐다.

10나노급(1z) D램 제품은 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 적용된다.

본격적으로 성장이 예상되는 GDDR6와 HBM2E 시장에도 적극 대응해나갈 계획이다.

아울러 SK하이닉스는 최첨단 D램 공장 M16을 증축하고 있다. 초미세 극자외선(EUV) 공정을 활용한 4세대 10나노급(1a) D램 개발도 활발히 진행하고 있다.

낸드플래시의 경우 지난해 6월 세계 최초로 128단 4D 낸드플래시를 개발하고 양산에 나섰다. 128단 낸드는 업계 최고 적층이다.

또 테라바이트급 대용량 솔루션 수요가 커짐에 따라, 자체 컨트롤러와 소프트웨어가 탑재된 소비자용 2TB 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품 양산을 준비하고 있다. 또 차세대 176단 4D 낸드플래시 개발도 차근차근 이뤄지고 있다.

SK하이닉스는 메모리 반도체를 중심으로 미래 기술을 이끌어가겠다는 포부를 가지고 있다.

SK하이닉스 관계자는 “오토모티브, 인공지능, 증강현실과 가상현실, 사물인터넷, 빅데이터, 5G 등 6개 분야 시장 상황을 예의주시하며 적기에 대응할 수 있도록 준비할 것”이라고 전했다.

강해령기자 kang@etnews.com