삼성전자 차세대 슈퍼컴용 800GB Z-SSD 출시… 응답속도 5배 이상 빨라

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삼성전자 차세대 슈퍼컴용 800GB Z-SSD 출시… 응답속도 5배 이상 빨라

삼성전자가 기존 고성능 NVMe(Non-Volatile Memory express) 솔리드스테이트드라이브(SSD)보다 응답속도가 5배 이상 빠른 초고성능 800기가바이트(GB) 용량 Z-SSD를 출시한다고 30일 밝혔다.

이 제품이 인공지능(AI)을 위한 딥러닝, 빅데이터 처리와 같은 차세대 컴퓨팅 시장에서 캐시 데이터, 로그 데이터를 초고속으로 처리 분석할 때 유용하게 쓰일 것이라고 설명했다.

Z-SSD에는 △3비트 V낸드보다 읽기 속도가 10배 이상 빠른 1비트 싱글레벨셀(SLC) 기반 Z-낸드 △고속 응답 컨트롤러 △1.5GB 용량의 초고속 초절전 LPDDR4 모바일 D램이 탑재된다.

기존 3비트 기반 고성능 NVMe SSD(PM963)의 쓰기응답 속도보다 5배 이상 빠른 16마이크로세컨드(㎲)와 1.7배 빠른 임의 읽기 성능 750K 아이옵스(IOPS:Input Output Operations Per Second)를 구현했다.

800GB Z-SSD는 800GB를 매일 30번씩 쓰는 경우 최대 5년의 사용 기간을 보증하며, 일일 사용량이 이를 더 초과할 경우에는 최대 총 쓰기 사용 용량을 4만2000테라바이트(TB)까지 보증한다. 4만2000TB는 5GB 풀HD 영화를 840만번 쓰고 지울 수 있는 용량이다. 신뢰성 척도인 평균무고장시간(MTBF:Mean Time Between Failures)을 2백만 시간으로 기존 대비 2배 높였다.

한진만 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀장(전무)은 “용량을 더욱 높인 Z-SSD 출시로 글로벌 슈퍼컴퓨터 고객사에 투자 효율을 더욱 높인 솔루션을 제공하게 됐다”고 설명했다.

삼성전자는 이번 3세대 48단 V낸드 기반인 1세대 싱글 포트 Z-SSD 라인업에 이어 올해 안에 두 개의 연결 포트로 가용성을 확장한 2세대 듀얼 포트 Z-SSD를 출시할 계획이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 2월 11일 미국 샌프란시스코에서 열리는 국제반도체회로학회(ISSCC) 2018 Z-SSD 핵심 기술을 발표할 예정이다.

한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com