동양그룹(회장 신재현)의 동양중앙연구소는 차세대 메모리 반도체인 F램 및 기가급 D램 개발의 핵심기술인 백금박막전극 증착기술을 세계 최초로 개발했다고 28일 발표했다.
동양중앙연구소(소장 이근길)의 신소재 연구실 백금박막 연구팀은 지난 3년간 약 15억원의 연구비를 들여 별도의 접착층 없이 실리콘 웨이퍼 상에 직접 증착할 수 있는 백금박막 전극을 개발, 전세계적인 기술상 난제를 해결했으며 또한 백금을 구성하는 결정들을 기존 백금과는 다른 방향으로 정렬하는 새로운 기술을 개발함으로써 적외선 센서 등에 응용시 상당한 품질개선이 기대된다고 밝혔다.
F램과 2005년께 실용화될 것으로 예상되는 1Gb 이상의 D램은 실리콘 웨이퍼와 메모리 기능에 필요한 세라믹 박막, 그리고 이들을 연결하는 박막전극으로 구성되는데 이중 세라믹 박막은 6백℃ 이상의 고온 열처리 과정을 필요로 하기 때문에 고온공정에 적합한 박막전극 재료로 열에 강한 백금을 활용하려는 연구가 계속돼 왔으나 기존 백금박막은 실리콘 웨이퍼와의 부착력이 약해 실리콘 웨이퍼 위에 별도의 접착층 없이 백금박막을 직접 부착시키는 것은 사실상 불가능한 것으로 인식돼 왔다.
이번에 개발한 백금박막전극은 F램과 1Gb 이상의 D램에 모두 사용할 수 있어 향후 반도체 생산업체들의 공정간소화를 통한 비용절감에 기여함은 물론 적외선 센서를 비롯한 팩시밀리, 복사기 등 각종 전자제품의 소형화, 경량화에 광범위하게 응용될 것이라고 동양측은 말했다.
한편 동양은 실리콘 웨이퍼 위에 백금박막을 직접 증착시키는 기술 개발과 관련해 이미 미국특허 1건을 획득했다.
<김경묵 기자>