삼성전자가 1조원을 투자해 지난해 9월 개발한 80나노 2G DDR2 D램 생산을 위해 화성 13라인에 80나노 공정라인을 구축한다.
삼성전자(대표 윤종용)는 D램 전용라인인 화성 13라인에 6038억원, 6-12라인에 3937억원 등 약 1조원을 투자해 생산능력 증강과 공정 업그레이드에 나선다고 10일 밝혔다.
이번 투자로 화성 13라인은 생산능력이 300㎜ 웨이퍼 기준 월 2만5000장(작년 12월 기준)에서 4만∼4만5000장으로 확대된다. 특히 삼성전자는 이 라인에서 세계 최초로 개발한 최첨단 80나노 2G급 DDR2 D램을 생산할 계획이어서 이번 투자는 이를 위한 신규설비 도입에 쓰인다. 이에 따라 이 라인의 90나노 이하 비중은 지난해 말 5% 수준에서 올 2분기 20%선까지 올라서게 된다.
이와 함께 이번 투자로 기존 6∼12라인은 1분기 중에 최하 0.11㎛ 이상급 첨단 공정으로 전환될 예정이어서 공정 업그레이드를 통한 생산량 확대가 기대된다. 삼성전자는 현재 6∼7라인은 플래시 전용으로, 9∼11라인과 13라인은 D램 전용으로, 8라인과 12라인은 D램·플래시 혼용라인으로 가동하고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@