삼성종합기술원이 탄소나노튜브를 이용해 64기가비트(Gb) 대용량 플래시메모리 및 P램을 제작하는 데 성공했다.
임형규 삼성종합기술원장은 “1∼2나노미터(㎚) 크기의 탄소 나노 입자를 넣어 리셋 전류를 감소시킨 P램과 2㎚ 크기의 실리콘(Si) 점(dot)을 구현한 플래시메모리 개발에 성공했다”고 28일 밝혔다.
삼성전자는 현재 실험실 수준에서 상보성금속산화물반도체(CMOS) 기술을 활용, 5나노 셀까지 개발한 것으로 알려져 이번에 절연된 2나노 셀 구현에 성공함으로써 이론적으로 64Gb급 이상의 대용량 플래시메모리를 개발할 수 있는 길을 연 것으로 평가된다. 학계에서는 그동안 현 기술을 활용한 플래시메모리 용량을 32Gb로 한정해 왔다.
셀은 독자적인 기능을 하는 최소 단위로, 삼성 연구진은 기존 폴리실리콘 대신 탄소나노튜브(나노크리스털)를 활용해 균일성을 확보함으로써 극미세화에 성공한 것으로 전해졌다.
삼성종합기술원이 이 같은 핵심 나노기술을 확보함에 따라 2008년 이후 ‘황의 법칙(메모리 집적도가 매년 2배씩 증가)’을 증명할 수 있을 것으로 기대된다.
삼성전자는 현재 8기가 낸드플래시를 개발해 놓은 상태로, 황의 법칙대로라면 오는 2008년에는 64기가 제품 탄생이 예고돼 있다.
삼성의 한 관계자는 “신기술은 사업부(삼성전자)에서 일부지만 시제품 개발에 적용되고 있다”며 “아직은 구체적인 기술 내용을 밝힐 단계가 아니다”고 말했다.
삼성종합기술원은 또 1∼2㎚ 크기의 탄소나노 입자를 넣어 리셋 전류를 감소시킨 P램 개발에도 성공, 대용량화 가능성을 열었다. 현재까지 개발된 P램 시제품의 최대 용량은 64메가비트(Mb)로, 리셋 전류에 따른 칩 과열 현상이 P램 대용량화의 걸림돌로 작용해 왔다.
임형규 원장은 “반도체에서 나노 기술은 단순한 선폭 줄이기(scale-down)의 의미를 넘어서야 한다”며 “멀티미디어·바이오·로봇 등 초고용량 데이터 처리를 필요로 하는 제품·서비스 등장에 대응, 반도체 처리 용량의 한계를 극복하기 위해선 나노 소재를 이용한 반도체 물리학 자체의 변화가 불가피할 것”이라고 지적했다.
심규호·한세희기자@전자신문, khsim·hahn@