하이닉스, 40나노급 2Gb LPDDR2 개발

하이닉스, 40나노급 2Gb LPDDR2 개발

하이닉스가 세계 최초로 40나노급 2기가비트(Gb) LPDDR2를 개발했다. LPDDR2란 모바일 D램의 일종으로 전력 소모가 낮은(Low Power) 제품이다.

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 44나노 초미세 공정 기술을 적용해 모바일 제품 중 최저전압(1.2V)으로 동작하는 2Gb LPDDR2를 세계 첫 개발했다고 13일 밝혔다. 이 제품은 전력 소비가 기존 모바일 제품(LPDDR) 대비 50%, PC에 사용되는 DDR2 제품과 비교해선 30% 수준에 불과해 장시간 사용하는 휴대폰, 디지털 카메라, MP3플레이어 등 모바일 제품에 적합하다고 회사 측은 설명했다.

또 전송 속도는 최대 1066Mbps를 지원하며 32개의 정보입출구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)의 경우 초당 최대 4.26기가바이트(GB), 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 8.52기가바이트의 데이터를 처리할 수 있다. 이 같은 속도는 보통 영화 5~6편을 1초에 다운받을 수 있는 수준이다. 양산은 올 상반기 내로 예정하고 있다.

최근 스마트폰, 스마트북, 태블릿PC 등 새로운 모바일 기기의 탄생으로 모바일 D램은 향후 수요 확대가 기대되는 분야다. 시장 조사 기관인 아이서플라이에 따르면 모바일 D램 시장은 2009년부터 2013년 까지 연평균 32.3%씩 급성장이 예상되며 휴대폰 내 모바일 D램 채택률 또한 2009년 66% 수준에서 2012년 80%까지 성장할 것으로 예상되고 있다.

하이닉스는 고부가가치 모바일 D램 개발 및 양산을 앞당겨 시장을 선도할 계획이다.

하이닉스 측은 “하이닉스반도체는 범용 D램의 생산을 최소화하고 모바일 D램 등 고부가가치 생산을 확대하고 있다”면서 “모바일 D램 시장 점유율을 2007년 7.1%에서 올해 30% 이상으로 끌어 올릴 계획”이라고 전했다.

윤건일기자 benyun@etnews.co.kr