아이브이웍스가 전력 반도체용 질화갈륨(GaN) 에피 웨이퍼 장비를 도입했다. GaN 박막을 웨이퍼 기판에 형성하는 12인치 에피 웨이퍼 제조 장비다. 해외 고객사에 테스트용 제품을 공급할 예정이다.
아이브이웍스는 최근 대전 반도체 소재 제조 시설에 새로운 증착장비(MEB)를 도입, 12인치 GaN 에피 웨이퍼 생산라인을 추가했다고 밝혔다.
MEB는 GaN 기반 전력 반도체, 통신 반도체용 에피 웨이퍼 생산 장비다. 회사는 기존 MEB 장비 대비 GaN 박막 증착 속도를 높이기 위해 하이브리드 MEB 장비를 개발했다.
아이브이웍스 관계자는 “하이브리드 MEB 장비는 GaN 박막을 시간당 2마이크로 형성하는 성장 속도를 낼 수 있다”며 “GaN 기반 각종 기기 전력 관리 반도체(IC) 등 소자 생산과 품질 등을 만족할 수 있다”고 말했다.
GaN 에피 웨이퍼는 파운드리, 소재 업체를 통해 전력 반도체, 통신용 반도체에 사용된다. 기존 실리콘 웨이퍼 대비 전력 변환 효율이 높다. 고출력, 내열성이 우수한 충전기, 전기차, 방산용 라이다 등 다양한 분야에 사용된다.
아이브이웍스는 12인치 에피 웨이퍼를 반도체 장비 분야에 공급할 것으로 알려졌다. 기존 6인치, 8인치뿐 아니라 시장 선제 대응을 위해 생산라인을 구축했다.
아이브이웍스 6인치, 8인치 GaN 에피 웨이퍼 생산량은 월 5000장 규모다. 국내외 전력 반도체 업체에 공급하고 있다.
아이브이웍스 관계자는 “12인치 GaN 반도체는 고객사들이 개발을 진행 중인 단계”라면서 “해외 고객사 쪽으로 제품 테스트를 진행할 계획”이라고 말했다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
