테스가 경기 용인 본사에 신규 연구개발(R&D) 센터를 완공, 차세대 반도체 장비 R&D 강화에 나선다.
테스에 따르면 회사는 최근 용인 처인구 양지면 본사 내에 6036㎡(약 1826평) 규모 R&D센터 공사를 완료했다. 전에도 본사 안에 R&D를 두고 있었는데, 연구개발 능력과 기술 경쟁력을 강화하기 위해 새로운 센터를 지었다.
신설 센터는 기존 면적 702㎡(212평) 대비 8.6배 커졌다. 반입할 수 있는 장비도 전보다 5배 늘었다. 테스는 신규 센터 건설에 636억원을 투자했다. 회사는 새로운 시설로 장비 이전을 시작하고, 하반기부터 본격 가동에 돌입할 예정이다.
테스는 3차원(3D) D램과 400단 이상 낸드플래시 등 차세대 메모리 반도체를 생산할 수 있는 장비를 집중 개발할 방침이다. 고밀도 비정질탄소막(ACL) 공정과 고유전율 원자층식각공법(ALE) 등 전공정 장비가 대상이다.
또 2나노미터(㎚) 이하 시스템 반도체용 후면전력공급(BSPDN) 장비와 고대역폭메모리(HBM) 후공정을 위한 웨이퍼 본딩용 화학기상증착(CVD) 성막 장비 등도 개발할 계획이다.
회사 관계자는 “고객 요구에 부합한 선행 기술을 개발하고 차세대 장비의 빠른 양산화를 위해 R&D를 강화하겠다”고 말했다.
이호길 기자 eagles@etnews.com
