로옴(ROHM) 주식회사 (이하 로옴)와 독일의 유명 자동차 부품 서플라이어인 Schaeffler AG(이하 셰플러)는 전략적 파트너십의 일환으로 로옴의 SiC (실리콘 카바이드) MOSFET 베어칩을 탑재한 신형 고전압 인버터 브릭의 양산을 개시한다고 밝혔다. 인버터 브릭은 중국 주요 자동차 메이커용 제품이다.
로옴 SiC MOSFET가 탑재된 인버터 브릭은 전동 파워 트레인의 중핵을 담당하는 중요 부품으로, 전기자동차의 효율과 성능을 크게 좌우한다. 전기자동차의 트랙션 인버터에 있어서 일반적인 800V를 상회하는 최대 배터리 전압에 대응하여 최대 전류 650Arms를 실현한 고성능 파워 패키지를 채택했다. 로옴의 SiC 기술을 통해 고효율 및 고출력과 동시에 컴팩트한 설계를 실현하여 차세대 전동차의 보급을 서포트하는 제품으로 시장에 선보일 예정이다.
로옴과 셰플러(구 Vitesco Technologies)는 2020년부터 전략적 파트너십을 구축해 왔다. 2023년에는 SiC 파워 디바이스에 관한 장기 공급 계약을 체결하여, 전기자동차의 성능 향상에 꼭 필요한 SiC 칩의 공급 체제를 강화했다. 이번 신제품 양산 역시 협업 활동의 성과라고 할 수 있다.
셰플러 CEO Thomas Stierle은 “e 모빌리티 솔루션에 있어서 확장성과 모듈성을 반영하는 전략적 접근 방식으로, 개별 부품에서 고집적 타입 전동 액슬까지 대응 가능한 인버터 브릭을 개발했다”며 “범용 플랫폼 개발을 기반으로 중국에서 보급되는 X in 1 아키텍처용으로 최적인 제품을, 불과 1년만에 양산화할 수 있었다”고 전했다.
로옴 이사/ 상무 집행 임원인 Kazuhide Ino은 “로옴의 제4세대 SiC MOSFET가 셰플러의 인버터 브릭에 채용되어 양산이 시작된 것을 매우 영광으로 생각한다”며 “로옴의 SiC 기술은 전기자동차의 효율과 성능 향상에 크게 기여하고 있다. 셰플러와의 파트너십을 통해 자동차 산업에서의 이노베이션과 지속 가능성 실현을 한층 더 추진해 나갈 것”이라고 말했다.
임민지 기자 minzi56@etnews.com