SEMI(옛 국제반도체장비재료협회)는 램리서치 극저온 식각 기술이 '2025 SEMI 북미 어워드'를 수상했다고 7일(현지시간) 밝혔다.
SEMI는 미국 애리조나주 피닉스에서 열리고 있는 '세미콘 웨스트 2025'에서 램리서치에 상을 수여했다고 전했다. 세미콘 웨스트는 SEMI가 매년 개최하는 반도체 산업 전시회다.
SEMI는 램리서치 기술이 3차원(3D) 낸드플래시 부문에서 소자 제조를 용이하게 하는 획기적인 혁신 공정이라고 소개했다. 3D 낸드를 생산하려면 정밀한 식각 기술이 요구되는데, 램리서치 극저온 식각이 이에 부합한다는 설명이다.
극저온 식각은 반도체 미세화와 고집적화를 위해 고종횡비를 구현하는 기술이다. 물체의 가로와 세로 비율을 뜻하는 종횡비를 높여야, 낸드를 높은 단수로 쌓아 저장 용량을 늘리고 생산성을 향상할 수 있다.
램리서치는 3세대 극저온 식각 기술인 '램 크라이오 3.0'이 공정 속도와 제어력을 높일뿐만 아니라 에너지 소비량은 기존 대비 40%, 탄소 배출량은 90% 절감한다고 강조했다.
김태원 램리서치 유전체 식각 사업 부문장은 “램 크라이오 3.0은 미세화 장애물을 극복해 1000단 낸드 생산의 길을 열어준다”며 “이 기술을 인정해준 SEMI와 램리서치 개발팀에 감사드린다”고 말했다.
이호길 기자 eagles@etnews.com
