루트세미콘과 에스케이파워텍(SK파워텍)은 1200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정을 완료, 차세대 고효율 전력반도체 국산화 기반을 마련했다고 16일 밝혔다.
첫 시제품(ER)은 평균 수율 80%에 도달했다. 대면적 고전압 칩으로는 이례로, 양사 설계 최적화 능력과 반도체 위탁생산(파운드리) 공정 제어 기술력이 주효했다는 평가다.
지난 4월 양사는 'SiC MOSFET 파운드리 제품 개발 계약'을 체결하고 본격적인 공동 개발에 착수했다. 이번 제품은 그 결과물로, 고전압 SiC 전력 반도체 국산화에 이정표를 세운 것으로 평가된다.
이번 성과로 루트세미콘은 전적으로 해외 파운드리에 의존했던 생산 거점을 국내 SK파워텍으로 이전할 수 있는 기틀을 마련했다. 글로벌 공급망 불안 해소는 물론, 제품 납기(리드타임) 단축과 생산 경쟁력 강화를 동시에 달성할 수 있게 됐다. 해당 제품은 전기차 충전기 시장을 겨냥한 SiC MOSFET으로, 양사는 차량용 SiC 전력반도체 시장에서 기술·공급 경쟁력을 강화할 계획이다.
SK파워텍 역시 SiC 파운드리 공정 우수성과 글로벌 수준 제조 역량을 증명했다. 루트세미콘 고성능 제품을 성공적으로 양산 궤도에 올려, 국내 차세대 전력반도체 생태계를 견인하는 핵심 SiC 파운드리 파트너로 입지를 공고히 했다.
장근호 루트세미콘 대표는 “SK파워텍의 우수한 공정 기술력 덕분에 첫 시제품에 80%라는 높은 수율을 확보할 수 있었다”며 “해외에 의존하던 SiC MOSFET 생산을 국내로 전환, 진정한 의미의 반도체 국산화를 실현하고 글로벌 시장 공략에 박차를 가하겠다”고 포부를 밝혔다.
이동재 SK파워텍 대표이사는 “루트세미콘과의 긴밀한 기술 협력이 빛을 발한 순간”이라며 “향후 본격적인 양산 단계에서도 최상의 품질과 안정적인 공급을 전폭적으로 지원해 양사가 함께 글로벌 전력반도체 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
