삼성전자가 네덜란드 반도체 노광설비 기업 ASML이 주도하는 '대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)'에 참여, 차세대 12인치 포토 마스크를 공동 개발한다.
2028년 업계 최초로 첨단 D램 제조에 고개구수(High-NA) 극자외선(EUV) 노광장비를 도입하기 위한 협력도 강화한다. 장비 도입을 넘어 마스크 표준과 양산 인프라를 함께 준비한다는 취지다.
삼성전자가 협력을 밝힌 대형 마스크 컨소시엄은 현재 노광 공정에 쓰는 6인치 마스크를 12인치로 전환하기 위한 협의체다. 노광설비와 포토마스크 기술 동향을 함께 살피고, 12인치 마스크 개발을 위한 공동 연구와 표준 작업을 진행할 계획이다.
포토마스크는 미세 회로를 새긴 정밀 틀이다. 노광설비 안에서 빛을 받아 웨이퍼에 패턴을 옮기는 도구로, 정밀도가 반도체 성능과 수율을 좌우한다. 그간 공정에는 6인치 마스크가 쓰여 왔다. 그러나 High-NA EUV를 도입하면 한 번에 노광하는 면적이 줄어든다. 12인치 마스크로 바꾸면 나눠 찍은 뒤 이어 붙이는 스티칭 제약을 줄일 수 있다.
이 경우 팹 생산성이 높아지고 칩 제조 비용이 낮아진다. 트랜지스터 수백억 개를 정밀하게 배치해야 하는 첨단 반도체일수록 12인치 마스크가 High-NA 설비의 이점을 온전히 살리며, 더 경제적인 생산이 가능하다.
삼성전자는 ASML과 2028년까지 첨단 D램에 High-NA EUV를 도입하는 협력도 확대한다. 실제 양산 제품으로 공정 조건과 수율, 생산성을 검증해 양산 체계에 안착시키겠다는 계획이다. 양사는 이번 협력이 High-NA를 첨단 메모리 제조에 적용할 준비가 됐음을 보여주는 신호라고 평가했다. 더 정밀한 패터닝으로 D램 미세화 로드맵을 연장하고, 공정 단순화와 생산성 향상을 함께 노린다는 구상이다.
삼성전자는 메모리와 파운드리를 함께 운영하는 점을 이번 협력의 강점으로 본다. 오랜 EUV 사용 경험과 2000년대 8인치 웨이퍼를 12인치로 전환한 이력을 바탕으로, 12인치 마스크 전환에서도 핵심 역할을 할 것으로 기대된다. 양사는 첨단 메모리와 제조 방식에서 추가 협력도 계속 찾을 계획이다.
전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 “AI시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다”며 “삼성전자는 혁신 기술과 강한 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고 ASML과의 협력을 한층 강화함으로써 'Next AI'를 위한 기술 기반을 마련해 나갈 것”이라고 밝혔다.
크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 “삼성전자는 오랜 기간 ASML의 가장 중요한 혁신 파트너 중 하나로 그동안 현대 반도체 제조의 기반이 되는 기술을 함께 발전시켜 왔다”며 “AI가 이끄는 새로운 시대를 맞이하여 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어 가기를 기대한다”고 말했다.
이형두 기자 dudu@etnews.com
