LG반도체(대표 문정환)는 최근 휴대형기기의 주기억소자로 사용되는 초저전 력 소모형 고속 1메가S램을 개발하고 오는 7월부터 양산에 들어간다고 17일 밝혔다. 이번에 개발된 제품은 개인용 정보단말기를 비롯해 전자수첩.휴대형 전화기 등 휴대형 기기의 주기억소자와 팩스모뎀.교환기 등 통신용 및 산업용 시스템의 버퍼용 기억 소자로 사용된다.
LG반도체가지난 93년부터 2년에 걸쳐 개발에 성공한 이 제품은 대기시 소비 전류를 기존의 1백uA에서 5uA까지 획기적으로 줄인 초저전력제품으로 휴대 형기기에 적합한 것이 장점이다.
LG반도체는 이번 초저전력 1MS램개발을 계기로 저전력.고속.고부가치의 S램 개발을 강화、 제품다각화를 적극 추진할 방침이다. <이경동 기자>