하이닉스 "D램 전용팹서 낸드 생산"

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 하이닉스반도체가 D램 전용 300㎜ 팹인 이천 M10라인에서 낸드플래시도 생산한다. 하이닉스는 연말까지 M10 팹 생산능력의 40%까지 낸드플래시로 전환, D램과 낸드플래시 생산물량을 조절하는 ‘버퍼팹’으로 활용한다는 계획이다. 본지 4월 16일자 26면 참조

 하이닉스는 또 26일 충북 청주시 청주공장에서 낸드플래시 생산을 주력으로 하는 300㎜ 팹(M11) 공장 기공식도 가졌다.

 권오철 하이닉스반도체 전무는 26일 기업설명회(IR)에서 “하이닉스는 D램 캐파를 시장 여건에 따라서 낸드로 환원할 수 있다”며 “D램 전용으로 운영된 300㎜라인 M10 생산능력의 약 40%를 올해 말까지 순차적으로 낸드플래시로 전환한다는 계획 아래 2분기부터 낸드 생산에 들어갈 것”이라고 밝혔다.

 하이닉스반도체는 2분기부터 M10라인에서 60나노 미세공정을 적용한 최첨단 대용량 낸드플래시 생산에 들어가 하반기에는 57나노 미세공정을 적용한 제품의 생산도 시작할 계획인 것으로 알려졌다. 이는 D램 가격은 하락세가 지속되고 있는 반면에 낸드플래시 가격은 1분기를 저점으로 연말까지 회복세가 이어질 것이라는 판단에 따른 것으로 풀이된다.

 하이닉스반도체는 이날 지난 1분기 해외법인 포함 기준으로 매출 2조4500억원, 영업이익 4460억원, 순이익 4290억원의 실적을 올렸다고 밝혔다. 작년 동기와 비교할 때 매출은 69%, 영업이익은 24%, 순이익은 46% 늘어났지만 지난해 4분기에 비해서는 매출이 6%, 영업이익이 48%, 순이익이 58.7% 감소했다. 하이닉스는 그러나 급속한 경영환경 악화에도 18%의 영업이익률을 기록해 12%에 머문 삼성전자는 물론이고 마이크론(-2%), 키몬다(6%), 엘피다(10%)를 능가하며 선전했다.

 기공식을 가진 청주공장에는 2년 4개월 동안 공공시설 및 장비를 포함해 약 3조8000억원이 투입된다. M11 공장은 하이닉스반도체의 청주 사업장 인근에 위치하게 되며, 대지면적 10만8687㎡(3만3000평)에 건축면적 5만5805㎡(1만7000평)로 부대시설을 포함해 연면적 31만2095㎡(9만4000평) 규모로 건설된다. 이 공장은 내년 3분기부터 40㎚(나노미터)급 초미세 공정으로 16기가비트(Gb) 및 32Gb 등 대용량 플래시메모리를 본격 양산할 계획이다 하이닉스는 내년 4월까지 M11 공장 건설을 완료, 시험생산을 거쳐 3분기부터 300㎜ 웨이퍼로 최근 수요처가 급속히 확대되고 있는 낸드플래시 제품을 주력으로 생산할 계획이다.

심규호기자@전자신문, khsim@