로옴 SiC MOSFET, 토요타 중국 시장용 BEV 'bZ5'에 활용

로옴 SiC MOSFET, 토요타 중국 시장용 BEV 'bZ5'에 활용

로옴(ROHM) 주식회사(이하 로옴)의 제4세대 SiC MOSFET 베어칩을 탑재한 파워 모듈이 토요타 자동차 주식회사(이하 토요타)의 중국 시장용 신형 크로스오버 BEV 'bZ5'의 트랙션 인버터에 활용된다.

bZ5는 토요타와 BYD TOYOTA EV TECHNOLOGY Co., Ltd.(이하 BTET), FAW Toyota Motor Co., Ltd. (이하 FAW Toyota) 등이 공동 개발한 크로스오버 타입 BEV로, FAW Toyota에서 2025년 6월부터 판매되고 있다. Reboot를 컨셉으로 액티브하고 상징적인 스타일을 추구하고, Z세대 사용자를 위해 개인적인 공간을 즐길 수 있는 기능을 추가했다. 주행 거리는 하위 그레이드 기준 550km이며 상위 그레이드 기준 630km이다. 상하이 모터쇼 2025 개막 전날부터 예약 접수를 시작해 큰 주목을 받고 있다.

제4세대 SiC MOSFET 베어칩을 탑재한 파워 모듈은 로옴과 Zhenghai Group이 공동으로 설립한 합작회사 HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd.에서 양산 출하를 개시했으며, SiC MOSFET를 중심으로 하는 로옴의 파워 솔루션을 통해 신형 BEV의 주행 거리 연장 및 고성능화에 기여하고 있다.

로옴은 2025년 내에 차세대 제품인 제5세대 SiC MOSFET의 생산 라인 구축 완료를 목표로 함과 동시에, 제6세대 및 제7세대 제품의 시장 투입 계획을 앞당기는 등 SiC 파워 디바이스의 개발에 주력하고 있다.

로옴 관계자는 “앞으로도 디바이스 성능 및 생산 효율 향상을 추진함과 동시에 베어칩, 디스크리트, 모듈 등 다양한 형태로 SiC를 제공할 수 있는 체제를 강화함으로써 SiC의 보급을 촉진하여, 지속 가능한 모빌리티 사회의 실현에 기여해 나가겠다”고 전했다.

임민지 기자 minzi56@etnews.com