엔비디아 등 빅테크 기업들이 차세대 인공지능(AI) 가속기의 성능 극대화를 위해 '고성능 중심' 메모리 공급 전략을 구상할 것으로 예상된다. 이 경우 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 시장에서 스펙 상 기술적 우위에 있는 삼성전자가 유리해진다.
19일 업계에 따르면 엔비디아는 HBM4 공급 안정성과 성능을 동시에 잡기 위해 '듀얼 빈(Dual Bin)' 구조를 검토하고 있다. 듀얼 빈은 동일한 설계 기반의 칩을 속도나 전력 효율 등에 따라 최상위-차상위 등급으로 나눠 공급받는 전략이다.
빅테크 기업들은 핵심 제품에는 11.7Gbps 이상 '최상위 빈'을 적용하고, 보완적인 제품에는 10Gbps대의 '차상위 빈'을 병행 사용할 것으로 예상된다.
엔비디아의 경우 저사양 물량 확대보다는 핵심 제품인 고성능 빈에 중심을 둘 가능성이 제기된다. AI 가속기 최고 성능 구현이라는 상징성 때문이다.
빅테크들은 차세대 AI 가속기를 제작하면서 메모리에서 발생하는 병목 현상을 두고 고심하고 있다. 연산 장치(GPU)의 속도는 빠르나 메모리 전송 속도가 이를 따라가지 못해 전체 시스템 효율이 떨어지는 현상이다.
삼성전자가 생산하는 HBM4는 수치상 11.7Gbps로 동작한다. 1c(6세대 10나노급) D램과 4나노 기반 베이스 다이를 적용했다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준인 8Gbps를 약 46% 상회한다. 이는 HBM3E(9.6Gbps) 대비 1.22배 향상된 수치로, 향후 최대 13Gbps까지 구현이 가능할 것으로 전망된다.
업계 관계자는 “엔비디아가 단순히 물량 확보에만 주력하기보다 가속기 성능 극대화에 무게를 주고 있다”며 “최상위 빈을 안정적으로 생산할 수 있는 삼성전자의 영향력이 강해질 것”이라고 설명했다.
이형두 기자 dudu@etnews.com
